【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体
，特别是一种制作方法。
技术介绍
激光划片技术广泛应用于氮化镓基发光二极管晶圆的器件分离工艺，具有简单、快速、高效等特点。现在普通激光划片机在切割蓝宝石衬底进行器件分离时，在蓝宝石衬底上留下深度为20 y m至50 y m的切割痕迹，然后利用裂片机进行崩裂完成发光二极管的切割工艺。这样切割的发光二极管芯片是正方体或 者长方体，由于氮化镓材料的折射率与空气存在较大差别，在逃逸界面处发生的光全反射效应，使得发光二极管器件的光提取受到非常大的限制。近年来，随着激光切割工艺的进步和微加工工艺的成熟，异形加工工艺越来越容易。通过理论模拟，倒梯形结构的发光二极管对光提取有明显的优势。本专利技术结合蓝宝石切割工艺和微加工工艺，提出一种用激光连续钻孔的工艺方法来完成蓝宝石衬底的切害I]。这种工艺方法不仅能高效的完成发光二极管芯片的分离，还能切割出倒梯形或者半球体的发光二极管芯片结构。进一步提高发光二极管的光提取效率，同时能完成发光二极管的快速分离。本技术采用激光加工技术，将发光二极管蓝宝石衬底的侧面进行钻孔，获得了倒梯形的发光二极管芯片结构，大大提高了发光二极管的提取效率。本技术存在着明显的优势，使工艺工序大大优化，而且使生产周期和成本大幅下降。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种制作方法，其是在发光二极管芯片工艺制作中，用激光对氮化镓基发光二极管衬底钻孔切割，形成倒梯形发光二极管芯片结构，可以大大提高出光效率，使得发光二极管外量子效率提升，特别适合大尺寸功率型晶粒的制作。为达到上述目的，本专利技术提供一种，包括如下步骤步骤1:将制备...
【技术保护点】
一种激光钻孔切割异形发光二极管的方法，包括如下步骤：步骤1：将制备好的条状的发光二极管芯片阵列竖直固定；步骤2：将激光器的焦点聚焦在条状的发光二极管芯片阵列的侧表面；步骤3：移动条状的发光二极管芯片阵列，激光器对条状的芯片阵列的衬底进行斜向激光钻孔；步骤4：裂片，制备完成发光二极管单元。
【技术特征摘要】
1.一种激光钻孔切割异形发光二极管的方法，包括如下步骤步骤1:将制备好的条状的发光二极管芯片阵列竖直固定；步骤2 :将激光器的焦点聚焦在条状的发光二极管芯片阵列的侧表面；步骤3 :移动条状的发光二极管芯片阵列，激光器对条状的芯片阵列的衬底进行斜向激光钻孔；步骤4 :裂片，制备完成发光二极管单元。2.根据权利要求1所述的激光钻孔切割异形发光二极管的方法，其中所述斜向激光钻孔，其角度为0-30度。3.根据权利要求2所述的激光钻...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢海忠，于飞，鲁志远，杨华，李璟，伊晓燕，王军喜，王国宏，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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