一种掺玻璃粉高储能密度的无铅铁电厚膜及制备方法技术

本发明专利技术属于电子材料与器件技术领域，涉及一种具有高储能密度的无铅铁电厚膜材料。本发明专利技术包括以下化学组分：按质量比：（Na0.5*（1+x）Bi0.5*(1+y)）TiO3：玻璃粉：粘结剂=1:?0.05~0.3：0.3~0.6，其中：0≤x≤0.05，0≤y≤0.1。本发明专利技术中的无铅铁电厚膜解决了铅制品在使用过程中造成的环境污染，并且通过掺杂玻璃粉使得储能密度进一步提高，可用来作为高功率大容量电容器开发和应用的关键部件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子材料与器件
，涉及一种具有高储能密度的无铅铁电厚膜材料的制备与玻璃粉掺杂优化，适用于高功率大容量存储电容器的开发和应用。
技术介绍
近些年来，伴随着各个行业对于微电子技术需求的迅猛增长，微电子行业得以迅速的发展。然而微电子器件走向微型化、集成化的关键技术之一是制备高功率大容量电容·器。制备高功率大容量电容器则要求电介质材料在具有高的能量存储密度的同时能够快速的存放电。高的能量存储密度要求电介质材料具有高的击穿场强以及较大的极化值，传统的铁电块体材料由于所需的工作电压较高以及击穿场强较小，限制了其应用；而薄膜材料虽具有较高的击穿场强，但由于厚度的限制，使得整体的储能较低。所以铁电厚膜材料成为解决这一问题的重要途径。目前市场上使用最多的高功率大容量电容器基本上都是以含铅材料为电介质的电容器。众所周知，铅元素在生产、使用、废品回收过程中会对人体产生危害及对环境造成严重的污染。世界各国对无铅化已经达成了高度的一致。不论是含铅的电介质材料(如PZT，PLZT等)，还是无铅的电介质材料(如BNT，KNN等)，其纯组分的储能密度均难以达到实际所需的水平，通常会通过掺杂或加本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掺杂玻璃粉高储能密度的无铅铁电厚膜，其特征在于，包括以下化学组分，按质量比，（Na0.5*（1+x）Bi0.5*(1+y)）TiO3：玻璃粉：粘结剂=1:?0.05~0.3：0.3~0.6，其中：0≤x≤0.05，0≤y≤0.1。

【技术特征摘要】
1.一种掺杂玻璃粉高储能密度的无铅铁电厚膜，其特征在于，包括以下化学组分， 按质量比，(Naa5* (1+x)Bi0.5*(1+y)) TiO3 :玻璃粉粘结剂=1: O. 05 O. 3 0. 3 O. 6，其中 O ≤ X ≤ O. 05,0 ≤y ≤ O.1。2.根据权利要求1所述的一种掺杂玻璃粉高储能密度的无铅铁电厚膜，其特征在于， 玻璃粉为以BaC03、HB03、Si02为原料，按摩尔比BaO =B2O3 Si02=3. 5 5. 5: 2 6: O. 5 2. 5的混合物。3.一种掺杂玻璃粉高储能密度的无铅铁电厚膜及制备方法，其特征在于，包括如下步骤；1)采用固相合成法制备(NaawaWBias^y))TiO3其中0≤X≤O. 05,0 ≤ y ≤O.1, 其预烧温度为80(T900°C，保温2飞小时，烧结温度为80(T950°C，保温3 13小时；2)以BaC03、HB03、Si02 为原料，按摩尔比BaO :B203 :Si02=3. 5 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝喜红，张乐，刘云颖，刘昕，杨吉春，
申请(专利权)人：内蒙古科技大学，
类型：发明
国别省市：