【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及乙烯双键桥连NDI基共轭聚合物及其制备方法与应用。
技术介绍
相比传统无机场效应晶体管(FETs)，聚合物FETs不仅具有溶液法加工的优势，而其具有制备工艺简单、成本低廉、柔韧性好等优点。可广泛用于存储器、射频电子商标、智能卡、传感器和有源矩阵显示器等方面，将有望成为下一代有机光电子电路的关键元器件。萘酰亚胺(简称NDI)，以其大的共平面结构、强的缺电子能力、以及化学修饰便利等优点深受科研人员的关注。最近，基于NDI单元合成了一系列的小分子和聚合物的有机半导体材料。((l)Chen, Z. H. ; Zheng, Y. ; Yan, H. ; Facchetti, A.J. Am. Chem. Soc. 2009, 131,8; (2) Huang, Η. ; Chen, Z. H. ; Ortiz, R. P. ; Newman, C. ; Usta,H. ; Louj S. ; Younj J. ; Nohj Y. Y. ; Baegj K. J. ; Chen, L. X. ; Facchetti, A. J. Am. Chem.Soc. 2012，134，10966.))这些材料表现出高的溶解性能，宽的光谱响应范围，搞得光和热稳定性，以及优良电荷传输能力。这类基于NDI单元构建的共轭聚合物一般具有二元的给-受体(D-A)交替结构，通常这些聚合物都是以单键相连构筑的D-A构型的聚合物。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种乙烯双键桥连NDI基共轭聚合物及其制备方法与应用。本专利技术提供的乙烯双键桥连NDI基共轭聚合物，也即乙烯-NDI...
【技术保护点】
式I所示共聚物，所述式I中，所述R均选自碳原子总数为6?16的直链烷基和碳原子总数为8?28的支链烷基中的任意一种；Ar为噻吩基、呋喃基、吡咯基、噻唑基、噻二唑基、并二噻吩基、并三噻吩基或苯基；n为20?200的整数。FDA00002586589900011.jpg
【技术特征摘要】
1.式I所示共聚物，2.根据权利要求1所述的共聚物，其特征在于所述式I中，η为50-100的整数，优选60 ； 所述碳原子总数为8-28的支链烷基为2-乙基己基，2-丁基己基、2-己基辛基、2-辛基癸基、2-癸基十二烷基、2-癸基十四烷基或2-十二烷基十六烷基。3.一种制备权利要求1或2任一所述共聚物的方法，包括如下步骤在四(三苯基膦)钯的催化条件下，将式Ml所示单体和式M2所示单体置于溶剂中进行钯催化偶联反应，反应完毕得到所述式I所示共聚物，4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于所述式Ml所示单体与式M2所示单体的投料摩尔比为I 1-1...
【专利技术属性】
技术研发人员：于贵，陈华杰，郭云龙，黄剑耀，刘云圻，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：
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