一种调控纳米球凸平面阵列型SERS基底结构的方法技术

本发明专利技术公开了一种调控纳米球凸平面阵列型SERS基底结构的方法，属于纳米材料科技领域。本发明专利技术是通过改变可聚合单体的种类实现纳米球凸阵列型SERS基底结构的调控，进而可调节纳米球凸阵列型基底表面对激光的增强Raman散射性质。本发明专利技术所述调控纳米球凸平面阵列型SERS基底结构的方法具有步骤简单、无环境污染和可实现高通量生产等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种调控纳米球凸平面阵列型SERS基底结构的方法，属于纳米材料科技领域。
技术介绍
表面增强Raman散射(SERS)是一种灵敏度高达单分子水平的高效分析技术，在化学、环境、食品和生命科学等领域有着重要的应用前景。由于长程电磁增强和短程化学增强作用，SERS基底可将被测分子(吸附在基底表面)的微弱Raman信号放大IO6倍或更大。显微共聚焦Raman光谱仪商品化以来，SERS分析技术的重大突破总是与SERS基底的发展密切关联。随机粗糙化的金属电极、胶体金属颗粒的无规聚集体曾经是早期SERS基底的典型代表，由于难以有效控制电极表面形貌和金属颗粒聚集体的结构，灵敏度低、重现性差和不稳定是早期SERS基底的致命缺陷。当前，基于纳米技术构筑的规整有序的结构化表面已经成为新一代SERS基底的代表纳米颗粒的有序自组装体，平版印刷技术结合金属覆镀技术构建的规整结构化表面，机械分割、电化学制备的纳米金属间隙或Junctions表面，以阳极氧化铝、嵌段聚合物等为模板组建的各种纳米结构化表面。与早期SERS基底相比，纳米SERS基底表面结构的规整程度、对Raman信号的增强能力和重现性均有明显提高。此外，为了能够获得更优性能的SERS基底，就必须系统了解基底结构与SERS性能之间的内在关系。已经发现具有尖锐边缘的非球状纳米结构具有更强的SERS性能。间隙的大小对SERS性能有显著影响，仔细调控后可实现单分子检测。在阵列表面修饰第二种金属后，可使SERS信号显著增强。但是，文献报导基底表面结构的类型彼此间差异显著、基底的面积普遍偏小，有的制备过程还需要特殊设备，从而难于指导优质SERS基底的高通量制备。可见，若是能够在其它条件可比、相对较大的基底面积范围内，探索基底结构对其SERS性能的影响规律，再加上基底的制备方法简单易行，对于指导优质SERS基底表面纳米构造的合理设计和高通量制备无疑具有更好的指导价值。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供一种调控纳米球凸平面阵列型SERS基底结构的方法。本专利技术所述一种调控纳米球凸平面阵列型SERS基底结构的方法，其特征在于通过改变可聚合单体的种类而调控纳米球凸平面阵列表面纳米球凸的排布密度。所述的纳米球凸平面阵列型SERS基底的制造通过旋转涂胶-UV光照固化-镀金技术制备方案得到，具体技术流程为将直径为300nm的二氧化硅微球和可聚合单体配制成体积比为1: 4的固液悬浮混合物，利用旋转涂胶仪将二氧化硅-可聚合单体固液悬浮混合物匀涂在直径为15. 24厘米的单晶硅圆片表面，再用脉冲UV光照12秒引发二氧化硅-可聚合单体固液悬浮混合物原位聚合固化后，用电子束蒸发或者磁控溅镀设备覆镀ISnm金薄膜即可制得纳米球凸平面阵列型SERS基底。所述的可聚合单体为乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(商品代号分别为SR415和SR9035)和聚乙二醇二丙烯酸酯(商品代号为SR259)，分子结构通式为式(I)和式(II)所示。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种调控纳米球凸平面阵列型SERS基底结构的方法，其特征在于通过改变可聚合单体的种类而调控纳米球凸平面阵列表面纳米球凸的排布密度。

【技术特征摘要】
1.一种调控纳米球凸平面阵列型SERS基底结构的方法，其特征在于通过改变可聚合单体的种类而调控纳米球凸平面阵列表面纳米球凸的排布密度。2.根据权利要求1所述的可聚...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘雪锋，洪清华，金美月，
申请(专利权)人：江南大学，
类型：发明
国别省市：