【技术实现步骤摘要】
用于在半导体制造中实施抛光工艺的方法和装置
本专利技术一般地涉及半导体领域,更具体地来说,涉及半导体制造装置及其方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了快速发展。IC材料和设计的技术进步已经产生 了多代1C,其中,每一代都比前一代具有更小和更复杂的电路。然而,这些进步增加了处理 和制造IC的复杂度,并且对于这些将被实现的进步,需要IC处理和制造的类似开发。在集 成电路演进的过程中,功能密度(即,每单位芯片面积互连器件的数量)通常增加,同时几 何尺寸(即,可使用制造工艺创建的最小部件(或线))减小。为了制造这些半导体器件,实施多个半导体制造工艺。这些工艺中的一种是化学 机械抛光(CMP)工艺,实施该CMP工艺以抛光晶圆的表面。然而,传统的CMP工艺会具有晶 圆擦伤问题,这会导致晶圆验收测验失败或低晶圆产量。因此,虽然现有的CMP工艺一般足以用于它们预期的目的,但它们不能在每一个 方面都完全满足要求。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的缺陷,根据本专利技术的一方面,提供了一种半导体制 造装置,包括抛光头;保持结构,连接至所述抛光头,其中,所述保持结构用于将 ...
【技术保护点】
一种半导体制造装置,包括:抛光头;保持结构,连接至所述抛光头,其中,所述保持结构用于将晶圆保持在适当位置;以及嵌入所述保持结构的部件,其中,所述部件比所述晶圆软,以及其中,所述部件用于与所述晶圆的倾斜区域进行接触。
【技术特征摘要】
2011.09.22 US 13/240,8561.一种半导体制造装置,包括 抛光头; 保持结构,连接至所述抛光头,其中,所述保持结构用于将晶圆保持在适当位置;以及 嵌入所述保持结构的部件,其中,所述部件比所述晶圆软,以及其中,所述部件用于与所述晶圆的倾斜区域进行接触。2.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其中,所述保持结构通过旋转的柔性机构连接至所述抛光头,使得所述保持结构用于围绕所述晶圆旋转360度。3.根据权利要求2所述的半导体制造装置,其中,所述保持结构的旋转用于从所述晶圆去除倾斜缺陷。4.根据权利要求2所述的半导体制造装置,其中,所述旋转的柔性机构包括跟踪球。5.根据权利要求2所述的半导体制造装置,其中,所述保持结构用于与所述抛光头的旋转相独立地进行旋转。6.根据权利要求1所述的半导体制造装置,还包括喷嘴,连接至所述抛光头,所述喷嘴用于向所述晶圆散布清洁溶液。7.根据权利要求6所述的半导体制造装...
【专利技术属性】
技术研发人员:李柏毅,黄循康,杨棋铭,林进祥,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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