闪烁器阵列的制造方法技术

技术编号:8493899 阅读:200 留言:1更新日期:2013-03-29 06:29
本发明专利技术提供一种闪烁器阵列的制造方法,在第一及第二闪烁器基板上分别形成多个槽之后在与槽正交的方向上进行切断,从而形成具有单元部的第一及第二闪烁器条块,将多组第一及第二闪烁器条块按照单元部朝下的方式隔着隔离体而排列固定在支撑板上,通过研磨除去第一及第二闪烁器条块各自的连结部,形成第一及第二单元分别排成一列的第一及第二单元阵列,向第一及第二单元阵列的槽及间隙中填充反射材料用树脂,使其硬化后将支撑板除去,从而形成一体的树脂硬化集合体,通过将第一及第二单元阵列的相邻的组之间的树脂层切断,将树脂硬化集合体按第一及第二单元阵列的组进行分割,来制造双阵列型的闪烁器阵列。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及高精度且高效地制造放射线检测器用的双阵列型的闪烁器阵列的方法。
技术介绍
作为放射线检查装置之一有计算机断层摄影装置(ComputedTomography(CT)装置)。CT装置具有放射X射线扇形射束的X射线管;和排列设置了多个放射线检测元件的放射线检测器。X射线管和放射线检测器将测定对象置于中心而对置配置。从X射线管放射的X射线扇形射束透过测定对象,由放射线检测器进行检测。按每次照射而改变照射角度来收集X射线吸收数据,通过计算机解析来算出测定对象的断层面上的各个位置的X射线吸收率,构成与X射线吸收率相应的图像。放射线检测元件由多个闪烁器单元构成。作为放射线检测器,可采用组合了闪烁器及硅光电二极管的检测器、或组合了闪烁器及光电子倍增管的检测器。利用了 X射线能量的检测灵敏度分布不同的两种闪烁器的双能量检测器例如公开于美国专利4,511,799号及WO 2006/114715(日本特表2008-538966号)中。美国专利4,511,799号公开了一个闪烁器的发光由一个二极管接收、另一个闪烁器的发光由另一个二极管接收的双能量检测器,但并未公开具体制造方法。另外,WO 2006/114715中也未具体公开闪烁阵列的制造方法。日本特开2002-236182号(美国专利6,793,857号)公开了制造将宽度不同的闪烁器单元组合而成的一维或多维检测器阵列的方法。在该方法中,(a)形成由含有对放射线敏感的材料的感测层和基层构成的复合层,(b)为了将感测层分割成相互绝缘的各个要素,从基层的相反侧对复合层的材料进行切削,从而在感测层中形成隔壁。然而,在该方法中,随着单元数量增加而工时增大,装配精度下降。日本特开2001-174564号中公开了一种X射线检测器阵列,其中,对能量分布不同的X射线进行检测的两种闪烁器元件在X射线的透过方向上配置,与各闪烁器元件对应的光检测元件在与其闪烁器元件垂直的方向上配置,多个闪烁器元件及多个光检测元件形成了列。多个闪烁器元件由光反射性物质一体地模制而成。然而,日本特开2001-174564号中并未具体公开X射线检测器阵列的制造方法。日本特表2009-524015号中公开了一种制造闪烁阵列的方法,其中,制作闪烁陶瓷的晶片,在陶瓷晶片的上表面形成正交的两个方向的多个狭缝,通过使陶瓷晶片的表面的一部分氧化来形成反射层,从而制造闪烁阵列。形成各个像素的间隙的狭缝也同样被反射层填充。但是,该闪烁阵列由一种闪烁陶瓷形成。因此,日本特表2009-524015号中关于高精度地排列两种闪烁单元的技术既没有公开也没有给出启示。
技术实现思路
(专利技术所要解决的课题)因此,本专利技术的目的在于,提供一种高精度且高效率地制造利用了 X射线能量的检测灵敏度分布不同的两种闪烁器的双阵列型的闪烁器阵列的方法。(用于解决课题的手段)制造双阵列型的闪烁器阵列的本专利技术的第一方法包括(I)在第一闪烁器基板上形成多个槽之后,在与所述槽正交的方向上切断所述第一闪烁器基板,从而形成第一闪烁器单元部以梳齿状排列的第一闪烁器条块的步骤;(2)在与所述第一闪烁器基板的组成不同的第二闪烁器基板上形成多个槽之后,在与所述槽正交的方向上切断所述第二闪烁器基板,从而形成第二闪烁器单元部以梳齿状排列的第二闪烁器条块的步骤;(3)将多组所述第一及第二闪烁器条块按照所述第一及第二闪烁器单元部朝下的方式排列固定在支撑板上的步骤;(4)通过对所述第一及第二闪烁器条块各自的连结部进行研磨除去,使所述第一及第二闪烁器条块的槽在表面露出,从而使多个由第一闪烁器单元排成一列的第一单元阵列和第二闪烁器单元排成一列的第二单元阵列构成的组平行排列的步骤;(5)向所述第一及第二单元阵列的至少槽及间隙中填充反射材料用树脂,使其硬化后除去所述支撑板,从而形成具有多个由所述第一及第二单元阵列并排排列而成的组的一体的树脂硬化集合体的步骤;和(6)通过将所述第一及第二单元阵列的相邻的组之间的树脂层切断,从而将所述树脂硬化集合体按所述第一及第二单元阵列的组进行分割的步骤。制造双阵列型的闪烁器阵列的本专利技术的第二方法包括(I)在第一闪烁器基板上形成多个槽之后,在与所述槽正交的方向上切断所述第一闪烁器基板,从而形成第一闪烁器单元部以梳齿状排列的第一闪烁器条块的步骤;(2)在与所述第一闪烁器基板的组成不同的第二闪烁器基板上形成多个槽之后,在与所述槽正交的方向上切断所述第二闪烁器基板,从而形成第二闪烁器单元部以梳齿状排列的第二闪烁器条块的步骤;(3)将多组所述第一及第二闪烁器条块按照所述第一及第二闪烁器单元部朝上的方式排列固定在支撑板上的步骤;(4)向所述第一及第二闪烁器条块的至少槽及间隙中填充反射材料用树脂,使其硬化后除去所述支撑板,从而形成具有所述第一及第二闪烁器条块的一体的树脂硬化集合体的步骤;(5)对所述第一及第二闪烁器条块各自的连结部进行研磨除去,从而制作具有多个由第一单元阵列及第二单元阵列并排排列而成的组的一体的单元阵列集合体的步骤,其中所述第一单元阵列由所述第一闪烁器单元部构成,所述第二单元阵列由所述第二闪烁器单元部构成;和(6)通过将所述第一及第二单元阵列的相邻的组之间的树脂层切断,从而将所述单元阵列集合体按所述第一及第二单元阵列的组进行分割的步骤。在第一及第二方法中,优选通过对所述树脂硬化集合体的两面进行研磨,制作所述第一单元阵列及所述第二单元阵列露出的规定厚度的一体的单元阵列集合体,然后由反射材料用树脂覆盖所述单元阵列集合体中的所述第一及第二单元阵列的一个露出面。在第一及第二方法中,优选在由反射材料用树脂覆盖所述单元阵列集合体中的所述第一及第二单元阵列的一个露出面之后,将所述反射材料用树脂的覆盖层研磨加工至规定厚度。在第一及第二方法中,优选所述第一及第二闪烁器条块各自在所述槽的两侧具有一对对位槽,在所述第一及第二闪烁器条块的所述对位槽中插入第一隔离体,在各组的所述第一闪烁器条块与第二闪烁器条块之间配置第二隔离体,在所述第一闪烁器条块及第二闪烁器条块的相邻的组之间配置第三隔离体。在第一及第二方法中,优选对所述第一及第二闪烁器条块进行热处理。在第二方法中,优选所述第二及第三隔离体具有在相邻的闪烁器条块之间配置的平坦的大面积部、和从所述大面积部超过所述第一及第二闪烁器条块的上表面而突出的垂直部,所述第二隔离体的垂直部具有与所述第三隔离体的垂直部不同的着色部。在第二方法中,优选所述第二及第三隔离体的垂直部具有不同的高度及/或宽度。优选第一及第二闪烁器中的一方对高能量的X射线具有高的检测灵敏度,另一方对低能量的X射线具有高的检测灵敏度。例如,若第一闪烁器由钇-钆-铝-镓石榴石(YGAG)构成,第二闪烁器由硫氧化钆(GOS)构成,则与第一闪烁器相比第二闪烁器所检测的X射线的能量分布高。该情况下,优选第一闪烁器用的YGAG具有例如由被Ce、Pr等稀土类元素活化后的(YhGdx) M(GauAVu) 5_a012(其中,X 为 O. 10 O. 5,u 为 O. 2 O. 6,a 为-O. 05 +0. 15)表示的组成。另外,优选第二闪烁器用的GOS具有由被从Pr、Ce及Tb中选出的至少I种元素活化后的Gd2O2S表示的组成。另外,若第一闪烁器由钇-钆-铝-镓石本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.04.25 JP 2011-0969621.一种双阵列型的闪烁器阵列的制造方法,其特征在于,包括(1)在第一闪烁器基板上形成多个槽之后,在与所述槽正交的方向上切断所述第一闪烁器基板,从而形成第一闪烁器单元部以梳齿状排列的第一闪烁器条块的步骤;(2)在与所述第一闪烁器基板的组成不同的第二闪烁器基板上形成多个槽之后,在与所述槽正交的方向上切断所述第二闪烁器基板,从而形成第二闪烁器单元部以梳齿状排列的第二闪烁器条块的步骤;(3)将多组所述第一及第二闪烁器条块按照所述第一及第二闪烁器单元部朝下的方式排列固定在支撑板上的步骤;(4)通过对所述第一及第二闪烁器条块各自的连结部进行研磨除去,使所述第一及第二闪烁器条块的槽在表面露出,从而使多个由第一闪烁器单元排成一列的第一单元阵列和第二闪烁器单元排成一列的第二单元阵列构成的组平行排列的步骤;(5)向所述第一及第二单元阵列的至少槽及间隙中填充反射材料用树脂,使其硬化后除去所述支撑板,从而形成具有多个由所述第一及第二单元阵列并排排列而成的组的一体的树脂硬化集合体的步骤;和(6)通过将所述第一及第二单元阵列的相邻的组之间的树脂层切断,从而将所述树脂硬化集合体按所述第一及第二单元阵列的组进行分割的步骤。2.根据权利要求1所述的闪烁器阵列的制造方法,其特征在于,通过对所述树脂硬化集合体的两面进行研磨,制作所述第一单元阵列及所述第二单元阵列露出的规定厚度的一体的单元阵列集合体,然后由反射材料用树脂覆盖所述单元阵列集合体中的所述第一及第二单元阵列的一个露出面。3.根据权利要求2所述的闪烁器阵列的制造方法,其特征在于,在由反射材料用树脂覆盖所述单元阵列集合体中的所述第一及第二单元阵列的一个露出面之后,将所述反射材料用树脂的覆盖层研磨加工至规定厚度。4.根据权利要求1 3的任一项所述的闪烁器阵列的制造方法,其特征在于,对所述第一及第二闪烁器条块进行热处理。5.根据权利要求1 4的任一项所述的闪烁器阵列的制造方法,其特征在于,所述第一及第二闪烁器条块各自在所述槽的两侧具有一对对位槽,在所述第一及第二闪烁器条块的所述对位槽中插入第一隔离体,在各组的所述第一闪烁器条块与第二闪烁器条块之间配置第二隔离体,在所述第一闪烁器条块及第二闪烁器条块的相邻的组之间配置第三隔离体。6.一种双阵列型的闪烁器阵列的制造方法,其特征在于,包括(1)在第一闪烁器基板上形成多个槽之后,在与所...

【专利技术属性】
技术研发人员:重川祥新田英雄盐田谕
申请(专利权)人:日立金属株式会社
类型:
国别省市:

网友询问留言 已有1条评论
  • 来自[美国加利福尼亚州圣克拉拉县山景市谷歌公司] 2015年01月05日 08:31
    发光二极管简称为LED由含镓Ga砷As磷P氮N等的化合物制成的二极管
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