【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻
，特别涉及一种反射式掩膜版，曝光装置及曝光方法。
技术介绍
光刻技术是目前电子行业普遍使用的技术，广泛应用于制造电路图案，在显示基板领域制造滤光层和黑矩阵，在立体显示领域制造光栅和相位差板。在光刻技术中，曝光工序需要用掩膜版，光线透过掩膜版对光敏材料进行曝光，目前掩膜版大多是透射式掩膜版，常见的光敏材料包括光刻胶，光阻胶，光取向层等。光刻技术用于制造电路图案的流程如下先在基板上沉积一层金属或其他材料，然后再在上面涂覆一层光刻胶，然后在上面设置一片透射式掩膜版，通过透射式掩膜版对光刻胶进行曝光；其中被曝光的光刻胶将表现出于不曝光的光刻胶不一样的性能，例如对于有的光刻胶，曝光的光刻胶在显影时就会被洗掉，这样就会将下面的金属或其他材料曝露出来，然后进行刻蚀，形成电路图案。光刻技术用于在显示基板领域制造滤光层和黑矩阵，立体显示领域制造光栅的具体流程如下先在基板上涂覆光阻胶，然后在透射式掩膜版下曝光，然后显影，曝光的部分就会被保留，其余的部分洗掉；被保留的就用作立体显示领域的光栅。但是，上述光刻技术中的透射式掩膜版和曝光方法存在的问题在于，一旦所...
【技术保护点】
一种反射式掩膜版，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上包括可反射曝光光线的反射区域，所述衬底上反射区域以外的部分是不可反射曝光光线的非反射区域；其中，所述反射区域形成反射式掩膜版的图案。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：武延兵，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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