【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及真空镀膜设备，特别是涉及一种热蒸发镀膜设备的热蒸发源。
技术介绍
热蒸发镀膜法是在真空环境中利用电流加热、电子束加热、或激光加热等方法使蒸发材料变成团簇、分子或原子，以较大的自由程作近自由运动，当这些自由运动的分子或原子碰撞到温度较低的基片，就在基片上凝结下来，沉积覆盖在基片上形成薄膜。热蒸发镀膜法具有纯度高、结晶好的优点，常用于金属薄膜、半导体薄膜、薄膜太阳能电池材料的生产制作。 容纳并加热蒸发材料的装置被称为热蒸发源。根据热蒸发源的几何结构不同，可分为点蒸发源，面蒸发源和束源炉。点蒸发源的特点是蒸汽分布在空间各方向呈均匀分布，而面蒸发源的蒸汽只向一半的空间分布，束源炉则是有坩埚，而蒸发材料只从坩埚上的开口喷射出来。和点蒸发源以及面蒸发源相比，束源炉具有束流稳定、方向可调、分布定向、节省原材料的特点，常用对薄膜厚度以及材料稳定性要求较高的场合，比如在实验室中对材料性质要求较高的小尺寸样品，通常样品的尺寸不超过10cm。请参阅图1，所示为传统的具有独立喷嘴的束源炉的蒸发束流分布示意图。其中，101衬底，102是坩埚，103是固态或熔化的蒸发材料，1...
【技术保护点】
一种热蒸发镀膜设备的热蒸发源，包括用于沉积薄膜的衬底、用于装载蒸发材料的坩埚，及用于加热所述坩埚的加热组件；其特征在于，所述坩埚上设有多个与所述衬底相对的喷嘴，所述多个喷嘴中的每两个相邻喷嘴之间的距离不全相等。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张撷秋，肖旭东，陈旺寿，宋建军，刘壮，顾光一，杨春雷，
申请(专利权)人：深圳先进技术研究院，香港中文大学，
类型：发明
国别省市：
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