一种湿法去除冶金级硅中杂质B的方法技术

本发明专利技术提供一种湿法去除冶金级硅中杂质B的方法，将冶金级硅破碎细磨成-100～-600目的硅粉；按液固比为2:1～10:1加入到由氯化铵、氟化钠和甲醇组成的混合水溶液中，再加热至40～100℃进行搅拌浸出0.5～7h；然后进行液固分离后，再将滤饼用水洗涤数次至中性后烘干，即得到除杂质B的冶金级硅。是一种设备简单，操作容易，能耗少，成本低的去除杂质B的方法，既不需要高压条件，也不需要高温，在常压低温中进行，不需要特殊的设备，常规的搅拌反应釜就适合工艺要求。该方法是一种简单有效的去除冶金级硅中的B的方法，浸出液可循环使用，操作简单、成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及冶金法制备太阳能级硅中湿法冶金法去除冶金级硅中B的方法，属于冶金

技术介绍
随着化石能源的枯竭和对环境影响的日益加剧，寻找新的环境友好的可替代能源成为摆在当今时代的一个紧迫任务，太阳能因具有无污染、普遍存在和永不枯竭的特点，被寄予厚望，成为世界各国研究的重点。利用太阳能虽然有多种方式，但是光伏发电无疑是最具影响的方式。高纯硅是光伏发电的基础性材料，光伏电池大多数使用的都是高纯度的多晶硅或单晶硅。能用于光伏发电的高纯硅纯度要求大于6N，其中杂质B的含量必须小于 O. 3X10_6。B含量过高将使太阳能电池电阻率过低，并产生光致衰减，影响太阳能电池的光电转换效率和稳定性。B由于分凝系数比较大，在硅基体中较为分散，属于难去除杂质。目前，国内外针对这一难去除杂质的处理较多，从原理和工艺来看，方法较多，可分为吹气造渣、高温等离子体氧化、合金定向凝固和湿法除B等。吹气造渣除B是在高温下气体和熔渣与硅液中的B发生氧化反应，B生成易挥发的化合物排出或者以氧化物进入熔禮:。Kondo Jiro等 · 2007-09-08]米用 Ar气载H2、H2O和O2等组成的反应气体，在1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种湿法去除冶金级硅中杂质B的方法，其特征在于经过下列各步骤：（1）将冶金级硅破碎细磨成?100～?600目的硅粉；（2）将步骤（1）的硅粉按液固比为2:1～10:1加入到由氯化铵、氟化钠和甲醇组成的混合水溶液中，再加热至40～100℃进行搅拌浸出0.5～7h；（3）将步骤（2）的混合物进行液固分离后，再将滤饼用水洗涤数次至中性后烘干，即得到除杂质B的冶金级硅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢克强，马文会，麦毅，魏奎先，周阳，伍继君，吕国强，朱文杰，刘大春，杨斌，戴永年，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：