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一种激光辅助清除基体表面纳米颗粒的方法和装置制造方法及图纸

技术编号:8480034 阅读:174 留言:0更新日期:2013-03-27 22:39
本发明专利技术涉及一种激光辅助清除硅晶片等基体表面纳米颗粒的方法和装置,特指一种利用激光聚焦将空气介电击穿形成急剧膨胀的等离子体,等离子体周围空气被快速压缩成为较强的冲击波阵面而直接作用于基体表面使纳米颗粒受到力或滚动力矩的作用与晶片或光掩模等基体分离的方法和装置,该方法和装置尤其适用于去除基体表面100nm及更小尺寸的颗粒。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种激光辅助清除硅晶片等基体表面纳米颗粒的方法和装置,特指一种利用激光聚焦将空气介电击穿形成急剧膨胀的等离子体,等离子体周围空气被快速压缩成为较强的冲击波阵面而直接作用于基体表面使纳米颗粒受到力或滚动力矩的作用与晶片或光掩模等基体分离的方法和装置,该方法和装置尤其适用于去除基体表面100 nm及更小尺寸的颗粒。
技术介绍
基体表面纳米颗粒的去除是微型机械、精密光学、微电子、半导体等高新技术中的关键问题,纳米颗粒会使微型机械表面产生划痕甚至裂纹等致命损伤,极大降低精密光学设备的分辨率,造成微型高密度存储设备、超大规模集成电路短路或性能大大降低,是微型机械、精密光学、半导体、微电子等高新技术中需要迫切解决的问题;随着微电子设备和半导体尺寸越来越小,去除100 nm及更小尺寸的颗粒正在成为一种新的技术挑战,颗粒越来越小使得去除变得非常困难,常规去除方法如化学清洗、超声清洗和机械洗刷等,显得力不从心;同时,化学清洗、超声清洗等容易腐蚀和二次污染,且浪费资源和污染环境;机械洗刷容易损伤基体表面。脉冲激光束在凸透镜的聚焦作用下可以使凸透镜焦点处能量密度及局部温度急剧上升导致空气介本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光辅助清除基体表面纳米颗粒清除的方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)?将需进行颗粒清除的基体固定在三轴微动控制平台上;(2)?调节三轴微动控制平台垂直移动使基体上表面到凸透镜焦点的垂直距离为1?2?mm;调节三轴微动控制平台左右前后移动使基体表面位于即将产生的等离子体的(即激光束聚焦位置)正下方;(3)?发射脉冲激光束穿透凸透镜于透镜焦点聚焦,焦点处空气被介电击穿形成急剧膨胀的等离子体使周围空气被迅速压缩而成为强冲击波阵面,强冲击波阵面直接作用于基体表面使纳米颗粒受到力或滚动力矩的作用与基体分离。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:鲁金忠罗开玉钟金杉罗密齐晗刘娟王志龙
申请(专利权)人:江苏大学
类型:发明
国别省市:

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