【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储器领域，尤其涉及一种。
技术介绍
Nand Flash(与非闪存)在存储器领域已经得到了广泛应用。与非闪存的存储阵列中通常包括若干个块(block)，比如1024、2048、4096或其他数目个block，每个block包括有若干个页(Page)，比·如128、256、512或其他数目个Page，每个page具有一定的字节数，比如256、512、1024或其他数目的字节数。与非闪存的读/写操作的最小单位是page,擦除(Erage)操作的最小单位为 block。此外，与非闪存的另一个特性为同一个page如需重复写,贝U必须擦除该page所在的整个块。需要注意的是，此处的擦除操作不同于普通应用中的删除操作，删除操作只是删除了文件链表，实际在相应的页中的数据还是存在的，这里的擦除是指将整个块的数据完全清除。在对与非闪存的实际写的过程中，为了提高速度以及有些小文件，导致不是每次都把一个块里面的所有页全写满的，这样过一段时间后，所有的块都有数据了，其实可能每个块里面还有很多的“空页”，这样形成了很多“碎片”，特别是对数据删除的操作多了之后“碎片”更容易...
【技术保护点】
一种与非闪存单元的数据处理方法，其特征在于，该与非闪存单元内记录有其存储阵列中的各个页内的数据的内拷贝次数，其包括：请求将所述存储阵列中的一个源页内的数据拷贝至一个目的页内；获取记录的源页内的数据的内拷贝次数；根据所述源页内的数据的内拷贝次数判断是采用内拷贝方式还是采用读/写方式将所述源页内的数据拷贝至所述目的页内；如果采用内拷贝方式将所述源页内的数据拷贝至所述目的页内，那么将所述目的页内的数据的内拷贝次数记录为所述源页的数据的内拷贝次数加一步长值，如果采用读/写方式将所述源页内的数据拷贝至所述目的页内，那么将所述目的页内的数据的内拷贝次数记录为一初始值。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：付建云，奚靖，卢丹华，徐建辉，麻伟建，
申请(专利权)人：杭州华澜微科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。