【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种嵌套式米勒补偿,具体地说涉及低压差稳压器中的嵌套式米勒补\-ZX O
技术介绍
低压差稳压器(Low Dropout regulator, LD0)广泛应用于各种电子系统中。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或FET,从应用的输入电压中减去超额的电压,产生经过调节的输出电压。在低电源电压供电应用中,为了增大环路增益,通常使用多级放大结构。图1示意了一个现有LDO结构。如图1所示,PMOS管PM1、PM2、PM3、PM4,NMOS管匪I、匪2、匪3、NM4和偏置电流源Il形成第一级放大级,PMOS管PM5和偏置电流源12形成第二级放大级,Power PMOS管PM6和分压电阻RF1,RF2以及负载电阻RL,输出电容COUT形成第三级放大级。整个LDO等效为一个三级放大器。为了使低压差稳压器稳定工作,采用了嵌套式米勒补偿(NestedMillerCompensation, NMC)技术,加入了电容CMl,但是NMC技术必须在环路增益和阻尼系数之间进行折中。这需要更大的输出电容和内部补偿电容,增加系统成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种 ...
【技术保护点】
一种低压差稳压器,包括多级放大级和嵌套式米勒补偿电容,所述多级放大级包括第一级和第二级,第二级是第一级的下级,其特征在于所述低压差稳压器包括并联放大电路,该并联放大电路和第二级并联,米勒补偿电容的一端连接在并联放大电路,米勒补偿电容的另一端以反馈方式连接到第一级。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:田文博,王钊,尹航,
申请(专利权)人:无锡中星微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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