【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于等离子体显示面板(PDP)的荧光体和使用该荧光体的rop, 更具体地讲,本专利技术涉及一种用于PDP的荧光体和包括包含所述荧光体的荧光体层的rop, 所述荧光体受真空紫外线激发发光,亮度饱和度降低。
技术介绍
在等离子体显示装置(例如等离子体显示面板(PDP))中,通过激发作为放电气体的Xe等产生的真空紫外(VUV)光波长为约147-200nm的激发光激发荧光体层。Zn2SiO4 :Mn (下文中称为“P1”)和YBO3 :Tb (下文中称为“YB”)为广泛用于PDP的常规绿色荧光体,且可以适当的混合比组合使用。这两种绿色荧光体能混合的原因在于Pi 比YB的色纯度和亮度高,但Pl在PDP工作的高灰度等级(gradation)下具有亮度饱和特性。另一方面,YB比Pl的亮度饱和特性差。已知荧光体的亮度饱和与余辉时间有关。当波长为约147nm的真空紫外线照射其上时,常规绿色荧光体Pl的余辉时间为约7ms,而在上述相同的条件下,常规绿色荧光体YB 的余辉时间为约10ms。亮度饱和为表现PDP屏幕灰度等级和确定图像质量的重要因素,从而认为是关键的问题 ...
【技术保护点】
一种用于PDP的荧光体,所述荧光体包括:为下式1表示的化合物的第一荧光体;和下式3表示的第二荧光体,式1(Y1?x?yGdxTby)AlrQ3?r(BO3)4其中0<x≤1,0<y≤1,Q为Sc或Ga,且0≤r≤3,式3Ii2Zn(Ge,θ)zO8:Mn其中θ=Al或Ga,3≤Z≤4。
【技术特征摘要】
2007.02.16 KR 10-2007-00167541.一种用于rop的荧光体,所述荧光体包括 为下式I表示的化合物的第一荧光体;和 下式3表示的第二荧光体, 式I (Y1-PyGdxTby) AlrQ3_r (BO3) 4 其中0<x彡l,0<y<l,Q为Sc或Ga,且O彡r彡3, 式3Ii2Zn(Ge, θ )ζ08:Μη其中Θ = Al或Ga, 3彡Z彡4。2.权利要求I的荧光体,其中基于100重量份第一荧光体和第二荧光体的总量,第二荧光体的量为10-90重量份。3.权利要求2的荧光体,其中所述式I表示的化合物为一种选自以下的化合物 (Ya3Gda5Tba2) Al3 (BO3) 4、(YaiGda6Tba3)Al3(BO3)0 (Gda6Tba4) Al3 (BO3) 4、(Ya2Gda4Tba4)Al2.95ScQ C15(BO3) 4、(Y。2GdQ 4TbQ 4) Al2 9ScQ」(BO3) 4、(Y。2GdQ 4TbQ 4) Al2 8ScQ 2 (BO3) 4、(Y0.2Gd0.4Tb0 4) Al2 5Sc0 5 (BO3) 4、(Y0.2Gd0 4Tb0 4) Al 2 95Ga0 05 (BO3) 4、(Y0.2Gd0 4Tb0 4)Al2 9Ga0 ! (BO3) 4、(Y0.2Gd0 4Tb0 4) ...
【专利技术属性】
技术研发人员:金志贤,张东植,刘永喆,崔益圭,宋美兰,李贤德,宋有美,
申请(专利权)人:三星SDI株式会社,
类型:发明
国别省市:
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