光半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种光半导体装置，其密封树脂的固化物的变色得以被抑制，且反射效率的耐久性优异。为了解决该课题，本发明专利技术提出一种光半导体装置，其中，利用加成固化型硅酮树脂组合物来将光半导体元件密封而成，该光半导体元件被连接在已镀银的铜制引线框架上，该加成固化型硅酮树脂组合物包括：（A）有机聚硅氧烷，其含有芳基及烯基，且不含环氧基；（B）有机氢聚硅氧烷，其一分子中具有至少两个氢硅烷基，且具有芳基，并且结构单元中包含30摩尔％以上的HR2SiO05单元：所述成分（B）中的氢硅烷基相对于所述成分（A）中的烯基的摩尔比成为0.70～1.00的量；以及，（C）氢化硅烷化催化剂：催化剂量。

【技术实现步骤摘要】
光半导体装置
本专利技术涉及一种光半导体装置，且涉及一种利用加成固化型硅酮树脂组合物来密封的光半导体装置。
技术介绍
最近，光的强度较强且发热较多的高亮度发光二极管（LightEmittingDiode，LED），正逐渐商品化，并被广泛使用。这样的LED装置是利用以下方法来制造：使用与引线框架进行一体成型而成的杯状的预成型封装体，在其内部安装LED，并利用密封树脂将其密封。此时，为了确保安装LED时的导电性，并提高LED的反射效率，引线框架的母材一般使用铜作为基材并对铜实施镀银，但为了降低制造成本，而有使镀银的厚度变薄的趋势。另一方面，对于密封树脂，在性质上，要求固化物具有透明性，而通常使用环氧树脂组合物，所述环氧树脂组合物是由环氧树脂及酸酐系固化剂所组成，所述环氧树脂是双酚A型环氧树脂或脂环式环氧树脂等（专利文献1、专利文献2）。但是，这样的环氧树脂组合物的固化物，由于具有短波长的光线，穿透性较低，因此，会产生以下问题：耐光耐久性较低、或因光降解而导致着色。因此，作为密封树脂，提出一种加成固化型硅酮树脂组合物（专利文献3、专利文献4），其是由以下所组成：有机化合物，其一分子中含有至少两个与氢硅烷基（hydrosilyl）（SiH基）具有反应性的碳-碳双键；硅化合物，其一分子中含有至少两个SiH基；及，氢化硅烷化催化剂。但是，这样的加成固化型硅酮树脂组合物的固化物（密封树脂），在与上述的已对铜实施较薄的镀银的引线框架组合时，由于银离子会扩散至较薄的镀覆层中，并到达密封树脂层，而变色为褐色，导致亮度降低，因此，会产生以下问题：LED装置的品质降低。也就是说，实际情况是，即便使用这样的加成固化型硅酮树脂组合物，也不能获得一种LED装置，其加成固化型硅酮树脂组合物的固化物的变色得以被抑制，且反射效率的耐久性优异。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第3241338号公报专利文献2：日本特开平7-25987号公报专利文献3：日本特开2002-327126号公报专利文献4：日本特开2002-338833号公报
技术实现思路
本专利技术是鉴于所述情况而完成的，其目的在于提供一种光半导体装置，其密封树脂也就是含有芳基的加成固化型硅酮树脂组合物的固化物的变色得以被抑制，且反射效率的耐久性优异。本专利技术是一种光半导体装置，特征在于，利用加成固化型硅酮树脂组合物来将光半导体元件密封而成，所述光半导体元件是被连接在已镀银的铜制引线框架上，所述加成固化型硅酮树脂组合物包括：（A）有机聚硅氧烷，其含有芳基及烯基，且不含环氧基；（B）有机氢聚硅氧烷，其一分子中具有至少两个氢硅烷（hydrosilyl）基也就是SiH基，且具有芳基，并且结构单元中包含30摩尔％以上的HR2SiO0.5单元，其中R是不含脂肪族不饱和键的相同或不同种类的一价烃基：所述成分（B）中的氢硅烷基相对于所述成分（A）中的烯基的摩尔比也就是SiH基/烯基成为0.70～1.00的量；以及，（C）氢化硅烷化催化剂：催化剂量。如果是这样的加成固化型硅酮树脂组合物与已镀银的铜制引线框架的组合，那么可以提供一种光半导体装置，其密封树脂也就是加成固化型硅酮树脂组合物的固化物的变色被抑制，且反射效率的耐久性优异。并且，所述加成固化型硅酮树脂组合物中的（A）成分，优选为硅酮树脂与硅油的混合物。通过使其为硅酮树脂与硅油的混合物，作为密封树脂，具有更为适度的硬度、强度、弹性及撞击强度等。并且，所述加成固化型硅酮树脂组合物中的（B）成分，优选为由下述式（B1）及/或（B2）所表示的有机氢聚硅氧烷。通过使用此有机氢聚硅氧烷，可进一步降低由银离子所导致的固化物的变色。R6是碳数为1～10的一价烃基，R7是含有至少一个芳基的一价烃基，m是1～4的整数；R6、R7与上述相同，n是1～100的整数。进而，所述加成固化型硅酮树脂组合物，优选包括（D）增粘剂，尤其优选为，（D）成分是一分子中含有芳基、烯基及环氧基的有机聚硅氧烷。由此，使加成固化型硅酮树脂组合物的粘着性更高。并且，当使用已实施等离子处理的所述引线框架时，本专利技术更为有效。通过这样进行等离子处理，可以制作成一种引线框架，其加成固化型硅酮树脂组合物的润湿性较高，而提高粘着性。尽管活性化的银溶出至表面，仍可以通过调节SiH基与烯基的摩尔比，来提供一种光半导体装置，其耐变色性优异。并且，可以设为以下的光半导体装置：所述光半导体装置，具有杯状的预成型封装体，所述预成型封装体是一体成型，且在内部底面上配置有所述引线框架，在所述预成型封装体的内部，通过利用导电胶及导电线，将所述光半导体元件的电极连接在所述引线框架上，来安装所述光半导体元件；或通过利用焊料凸块（solderbump），将所述光半导体元件的电极面朝下地一起连接在所述引线框架上，从而倒置安装所述光半导体元件，并且，所述光半导体装置，是利用所述加成固化型硅酮树脂组合物，来密封所述预成型封装体的内部。并且，也可以设为以下的光半导体装置：所述光半导体装置，是利用所述加成固化型硅酮树脂组合物来对基板进行成形、固化后切割基板而成，所述基板配置有所述引线框架且安装有所述光半导体元件，所述光半导体元件是利用导电胶及导电线而被连接在所述引线框架上。这样的光半导体装置，其加成固化型硅酮树脂组合物的固化物的变色得以被抑制，且反射效率的耐久性优异。如上所述，根据本专利技术，可以提供一种光半导体装置，其密封树脂也就是加成固化型硅酮树脂组合物的固化物的变色被抑制，且反射效率的耐久性优异。附图说明图1是本专利技术的光半导体装置的第1实施方式的概要剖面图。图2是本专利技术的光半导体装置的第2实施方式的概要剖面图。图3是本专利技术的光半导体装置的第3实施方式的概要剖面图。图4是本专利技术的光半导体装置的第4实施方式的概要剖面图。具体实施方式以下，更详细地说明本专利技术。如上所述，先前一直要求开发一种光半导体装置，其固化型硅酮树脂组合物的固化物的变色被抑制，且反射效率的耐久性优异。本专利技术人为了达成所述目的，而进行探讨研究后，结果认为：在将加成固化型硅酮树脂组合物的固化物（密封树脂）与已对铜实施较薄的镀银的引线框架组合时，银离子会扩散至较薄的镀覆层中，并到达镀覆界面或密封树脂层。本专利技术人认为，变色为褐色的原因在于：镀银表面的银因受热等而氧化成为银离子，从而溶出，并通过与树脂中的SiH进行反应，被还原成纳米银，从而发生变色。并且发现：通过将加成固化型硅酮树脂组合物中的氢硅烷基相对于烯基的摩尔比设为0.70～1.00，可以抑制银析出，从而获得一种光半导体装置，其加成固化型硅酮树脂组合物的固化物的变色被抑制，反射效率的耐久性优异，至此完成本专利技术。以下，更详细地说明本专利技术。[光半导体装置]本专利技术是一种光半导体装置，其特征在于，利用加成固化型硅酮树脂组合物的固化物来将光半导体元件密封而成，所述光半导体元件是被连接在已镀银的铜制引线框架上，所述加成固化型硅酮树脂组合物包括：（A）有机聚硅氧烷，其含有芳基及烯基，且不含环氧基；（B）有机氢聚硅氧烷，其一分子中具有至少两个氢硅烷基也就是SiH基，且具有芳基，并且结构单元中包含30摩尔％以上的HR2SiO0.5单元，其中R是不含脂肪族不饱和键的相同或不同种类的一价烃基：所述成分（B）中的氢硅烷基相对于所述成分（本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光半导体装置，其特征在于，利用加成固化型硅酮树脂组合物的固化物来将光半导体元件密封而成，所述光半导体元件是被连接在已镀银的铜制引线框架上，所述加成固化型硅酮树脂组合物包括：（A）有机聚硅氧烷，该有机聚硅氧烷含有芳基及烯基，且不含环氧基；（B）有机氢聚硅氧烷，该有机氢聚硅氧烷一分子中具有至少两个氢硅烷基也就是SiH基，且具有芳基，并且结构单元中包含30摩尔％以上的HRR2SiO0.5单元，该R是不含脂肪族不饱和键的相同或不同种类的一价烃基：所述成分（B）中的氢硅烷基相对于所述成分（A）中的烯基的摩尔比也就是SiH基/烯基成为0.70～1.00的量；以及，（C）氢化硅烷化催化剂：催化剂量。

【技术特征摘要】
2011.09.02 JP 2011-1920131.一种光半导体装置，其特征在于，利用加成固化型硅酮树脂组合物的固化物来将光半导体元件密封而成，所述光半导体元件是被连接在已镀银的铜制引线框架上，所述加成固化型硅酮树脂组合物包括：(A)有机聚硅氧烷，该有机聚硅氧烷含有芳基及烯基，并且不含环氧基；(B)有机氢聚硅氧烷，该有机氢聚硅氧烷一分子中具有至少两个氢硅烷基也就是SiH基，且具有芳基，并且结构单元中包含30摩尔％以上的HR2SiO0.5单元，该R是不含脂肪族不饱和键的相同或不同种类的一价烃基：所述成分(B)中的氢硅烷基相对于所述成分(A)中的烯基的摩尔比也就是SiH基/烯基成为0.70～1.00的量；以及，(C)氢化硅烷化催化剂：催化剂量，并且，所述(A)成分是由下述平均组成式(1)所表示的有机聚硅氧烷构成的硅酮树脂和由下述平均组成式(2)所表示的直链状有机聚硅氧烷构成的硅油的混合物，并且，所述硅酮树脂和所述硅油的配合比，以质量比为硅酮树脂：硅油＝90～50：10～50，并且，不包含硅酮树脂：硅油＝70～50：30～50的情形，并且，所述(B)成分是由下述式(B1)和(B2)所表示的有机氢聚硅氧烷的混合物，R1a(R2)b(R3)cSiO(4-a-b-c)/2(1)式(1)中，R1是碳数为6～14的芳基，R2是碳数为1～10的芳基、烯基以外的取代或未被取代的一价烃基，R3是碳数为2～8的烯基，a是0.3～1.0的数目；b是0.05～1.5的数目；c是0.05～0.8的数目；并且，a+b+c＝0.5～2.0，式(2)中，R4是选自可相同或不同的R1、R2或R3的基团，且至少5摩尔％为芳基，g是1、2或3的整数，x是在25℃时粘度成为10～1000000mPa·s的1以上的整数，R6是碳数为1～10的一价烃基，R7是含有至少一个芳基的一价烃基，m是1～4的整数；R6是碳数为1～10的一价烃基，R7是含有至少一个芳基的一价烃基，n是1～100的整数。2.如权利要求1所述的光半导体装置，其中，进一步包括一分子中含有芳基、烯基及环氧基的有机聚硅氧烷，作为(D)增粘剂。3.如权利要求1所述的光半导体装置，其中，所述引线框架已实施等离子处理。4.如权利要求2所述的光半导体装置，其中，所述引线框架已实施等离子处理。5.如权利要求1所述的光半导体装置，其中，所述光半导体装置，具有杯状的预成型封装体，所述预成型封装体是一体成型，且在内部底面上配置有所述引线框架，在所述预成型封装体的内部，通过利用导电胶及导电线，将所述光半导体元件的电极连接在所述引线框架上，来安装所述光半导体元件；或通过利用焊料凸块，将所述光半导体元件的电极面朝下地一起连接在所述引线框架上，从而倒置安装所述光半导体元件，并且，所述光半导体装置，是利用所述加成固化型硅酮树脂组合...

【专利技术属性】
技术研发人员：浜本佳英，上野学，柏木努，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：