【技术实现步骤摘要】
本申请是国际申请日为2008年12月22日、国际申请号为PCT//US2008/013982、进入中国国家阶段的申请号为200880124117. 3、名称为“用于形成软膏抛光垫的方法和装置”的专利技术专利申请的分案申请。
技术介绍
本专利技术涉及一种诸如用于抛光半导体器件的新型软膏垫构造，以及制造该新型软膏垫的方法和制造该软膏垫所用的装置。诸如但不限于绝缘体上的半导体(SOI)结构的半导体器件制备成可有相对平坦的半导体层可利用，在该半导体层上形成电子部件。SOI技术对于在包括有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(IXD)、有源矩阵显示器在内的显示器，集成电路，光伏器件，薄膜晶体管应用等中的使用变得日益重要。最通常用于绝缘体结构上的半导体的半导体材料是硅。SOI结构可包括绝缘材料上的基本上为单晶硅的一个薄层(通常O. 05-0. 3微米厚，但在某些情况下厚5微米)。用于在多晶硅上形成TFT的现有技术工艺致使硅的厚度在约50nm数量级。如稍后将讨论的那样，可通过控制将硅层键合到衬底(例如玻璃或玻璃陶瓷衬底)的工艺参数来调整硅层厚度。在显示器应用中，硅层厚度通常在5...
【技术保护点】
一种用于形成用于抛光半导体表面的半球形抛光垫的方法，包括：将抛光垫预成形体放置在帽体的穹顶形成形表面上，所述抛光垫预成形体包括具有圆形本体，所述圆形本体具有中心、外周缘和设置在所述本体的所述中心处的孔；以及从所述外周缘朝向所述中心延伸的多个狭槽；将囊与所述穹顶形成形表面和所述抛光垫预成形体相对设置；用流体充胀所述囊，使得所述帽体的所述穹顶形成形表面从一侧压抵所述抛光垫预成形体，且所述囊从相反侧压抵所述抛光垫预成形体；以及将所述加压步骤保持预定时段来形成半球形抛光垫；还包括以下步骤：从所述穹顶形成形表面移除半圆形抛光垫；将粘合剂施加于柔性抛光帽体的半球形外表面；将所述半球形抛...
【技术特征摘要】
2007.12.31 US 11/967,8181.一种用于形成用于抛光半导体表面的半球形抛光垫的方法，包括将抛光垫预成形体放置在帽体的穹顶形成形表面上，所述抛光垫预成形体包括具有圆形本体，所述圆形本体具有中心、外周缘和设置在所述本体的所述中心处的孔；以及从所述外周缘朝向所述中心延伸的多个狭槽；将囊与所述穹顶形成形表面和所述抛光垫预成形体相对设置；用流体充胀所述囊，使得所述帽体的所述穹顶形成形表面从一侧压抵所述抛光垫预成形体，且所述囊从相反侧压抵所述抛光垫预成形体；以及将所述加压步骤保持预定时段来形成半球形抛光垫；还包括以下步骤从所述穹顶形成形表面移除半圆形抛光垫；将粘合剂施加于柔性抛光帽体的半球形外表面；将所述半球形抛光垫放置在所述抛光帽体的半球形外表面上；将囊与所述抛光帽体的半球形外表面和所述半球形抛光垫相对设置；用流体充胀所述囊，使得所述抛光帽体的所述半球形外表面从一侧压抵所述半球形抛光垫，且所述囊从相反侧压抵所述抛光垫预成形体；以及将所述加压步骤保持预定时段来将所述半球形抛光垫粘接到所述抛光帽体。2.如权利要求I所述的方法，其特征在于，当所述抛光垫处于平坦定向时，所述多个狭槽中的至少一个包括沿所述至少一个狭槽的长度大致恒定的宽度；以及以下中的至少一个所述至少一个狭槽的所述宽度为约O. I至约O. 4英寸；所述至少一个狭槽的所述长度为约O. 25至约O. 5英寸；所述至少一个狭槽的所述宽度为所述至少一个狭槽的所述长度的约20% -160% ； 所述至少一个狭槽的所述宽度为所述本体的直径的约2%至约10% ；所述至少一个狭槽的所述长度为所述本体的所述直径的约6%至约15%。3.如权利要求I所述的方法，其特征在于，当所述抛光垫处于平坦定向时，所述多个狭槽中的至少一个包括沿所述至少一个狭槽的长度从所述周缘朝向所述中心渐缩的宽度；以及以下中的至少一个所述至少一个狭槽在所述周缘处的宽度为约O. I至约O. 4英寸；所述至少一个狭槽的所述长度为约O. 5-1. 5英寸；所述至少一个狭槽渐缩到一点；所述至少一个狭槽的所述宽度为所述至少一个狭槽的所述长度的约6% -80% ；所述至少一个狭槽在所述周缘处的所述宽度为所述本体的直径的约2%至约10% ;以及所述至少一个狭槽的所述长度为所述本体的所述直径的约12%至约40%。4.如权利要求I所述的方法，其特征在于，还包括在将所述抛光垫预成形体放置到所述穹顶形成形表面上之前，将所述抛光垫预成形体沿多个径向方向在直线边缘上滚转和/ 或拖曳，使得所述抛光垫预成形体的材料纤维屈服且所述抛光垫预成...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·C·卡迪，M·J·莫尔，M·A·沙尔基，M·A·斯托克，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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