基于雪崩晶体管的皮秒级高功率超宽带窄脉冲信号发生器制造技术

本实用新型专利技术属于雷达发射机技术领域，具体涉及一种基于雪崩晶体管的皮秒级高功率超宽带窄脉冲信号发生器。本信号发生器包括如下组成部分：用于向信号发生器供电的偏置电压VCC；用于输入TTL电平的触发信号的触发输入端；本信号发生器还包括Marx电路，Marx电路中设置有依次级联的起始雪崩单元和多级雪崩单元，任一级雪崩单元中均设置有雪崩三极管和雪崩电容。雪崩单元中的雪崩电容采用并联充电、串联放电的结构。这种结构的特点是不需要极高的偏置电压，无论采用级联多少，都只需偏置单管电压，在放电时雪崩电容相互串联，减小了线路等效放电电容，使得每级可以采用相对较大的雪崩电容，并最终实现了高功率超宽带窄脉冲信号的产生。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于雪崩晶体管的皮秒级高功率超宽带窄脉冲信号发生器，其特征在于包括如下组成部分：偏置电压VCC，用于向信号发生器供电；触发输入端，用于输入TTL电平的触发信号，并引发信号发生器中的各级雪崩三极管的雪崩效应，所述触发输入端通过限流电阻R1与Marx电路相连，所述限流电阻R1还通过基极偏置电阻R2接地；Marx电路，所述Marx电路由依次级联的起始雪崩单元和多级雪崩单元共同构成；所述起始雪崩单元由起始集电极电阻、起始雪崩电容、起始雪崩三极管构成，起始雪崩单元通过起始集电极电阻与所述偏置电压VCC的输出端相连，起始集电极电阻的另一端一方面与起始雪崩电容相连，另一方面与起始雪崩三极管的集电极相连，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：戴大富，王志勇，张丽君，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第三十八研究所，
类型：实用新型
国别省市：