调压电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种调压电路。该电路包括第一NPN双极型晶体管、第二NPN双极型晶体管、第一电阻、第二电阻、可调电阻和肖特基势垒二极管；所述第一NPN双极型晶体管的基极通过第一电阻连接至电压源并通过可调电阻连接至地，源极接地，集电极连接至肖特基势垒二极管的负极端、第二NPN双极型晶体管的基极以及通过第二电阻连接至电压源；肖特基势垒二极管的正极端接地；第二NPN双极型晶体管的源极接地，集电极作为输出端的负极。体积较小、功耗小、速度高、适用于集成，电路结构简单。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种调压电路。
技术介绍
调压是电路中经常用到的电路模块，用于调整电路功能电压。现有电路中一般采用晶闸管作为调压的件，但是晶闸管的面积 较大，发热较大，消耗的功率也较大，根本不适用于集成电路，一般是在芯片外接调压电路。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于针对上述存在的问题，提供一种MOS结构的调压电路。本技术采用的技术方案是这样的本技术的一种调压电路，该电路包括第一 NPN双极型晶体管、第二 NPN双极型晶体管、第一电阻、第二电阻、可调电阻和肖特基势垒二极管；所述第一 NPN双极型晶体管的基极通过第一电阻连接至电压源并通过可调电阻连接至地，源极接地，集电极连接至肖特基势垒二极管的负极端、第二 NPN双极型晶体管的基极以及通过第二电阻连接至电压源；肖特基势垒二极管的正极端接地；第二 NPN双极型晶体管的源极接地，集电极作为输出端的负极。体积较小、功耗小、速度高、适用于集成，电路结构简单。在上述的电路中，所述第一 NPN双极型晶体管和第二 NPN双极型晶体管为参数相同的NPN双极型晶体管。在上述的电路中，所述第一电阻和第二电阻为参数相同的电阻。综上所述，由于采用了上述技术方案，本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种调压电路，其特征在于，包括第一NPN双极型晶体管（T1）、第二NPN双极型晶体管（T2）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、可调电阻（RW1）和肖特基势垒二极管（Z1）；所述第一NPN双极型晶体管（T1）的基极通过第一电阻（R1）连接至电压源（VDD）并通过可调电阻（RW1）连接至地（GND），源极接地（GND），集电极连接至肖特基势垒二极管（Z1）的负极端、第二NPN双极型晶体管（T2）的基极以及通过第二电阻（R2）连接至电压源（VDD）；肖特基势垒二极管（Z1）的正极端接地；第二NPN双极型晶体管（T2）的源极接地（GND），集电极作为输出端（Vout）的负极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周晓东，王晓娟，王纪云，
申请(专利权)人：郑州单点科技软件有限公司，
类型：实用新型
国别省市：