本发明专利技术涉及半导体和液晶显示器领域，尤其涉及半导体和液晶显示器制作过程中双面制程方法及曝光装置，即在曝光操作过程中，首先对曝光机内两张光掩模进行设备内的对位处理，再将基板运送到曝光装置的两张光掩模之间，然后进行该基板双面图形的制作。该曝光装置包括两张掩光板，需要加工的基板设置在所述两张掩光板之间；所述两张掩光板上分别设有掩光板对位标识。本发明专利技术在基板图案双面制程时，对掩光板预先进行对位操作，保证了基板双面图案的精确，保证了产品的质量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体和液晶显示器领域，尤其涉及半导体和液晶显示器制作过程中双面制程方法及曝光装置。
技术介绍
在现今的产品中，越来越多的会用到双面制程工艺。如触摸屏Touch，光栅等领域。随着科技的发展，对产品质量的要求越来越高，尤其是精度的控制方面。 现有的双面制程技术中，对于精度要求不高的Touch产品，往往采用双面不进行对位的处理方式。这样的制程虽然简单，但是精度太低，后端的显示会受到影响。对于精度要求较高的光栅产品，会先制得一面图形，然后将反面的图形与制得面进行对位识别来实现位置的对正。这种方式虽然可以实现精确对位，但对位难度较大，产品的成品率较低。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术的目的是提供一种双面制程方法及曝光装置，通过在曝光操作中对掩光板进行的对位处理，简便地实现基板双面图形制作的精确对位，提高产品的质量。(二)技术方案本专利技术是通过以下技术方案实现的一种双面制程方法，在曝光操作过程中，包括以下步骤SI :对曝光装置内两张掩光板进行对位处理；S2 :将基板运送到曝光装置的两张掩光板之间；S3 :在所述基板上进行双面图形的曝光操作。其中，步骤SI中，所述两张掩光板根据该两张掩光板上均设有的掩光板对位标识进行对位处理。此外，在步骤S3中，所述基板任一面进行曝光操作时，均预先通过基板两侧和掩光板上均设有的基板对位标识对该基板进行对位操作。本专利技术还提供了一种双面制程曝光装置，包括两张掩光板，需要加工的基板设置在所述两张掩光板之间；所述两张掩光板上分别设有掩光板对位标识。其中，该曝光装置采用双光源，所述两个光源分别在基板的两侧对应设置，每个光源的出射光经过掩光板对所述基板进行曝光操作。此外，该曝光装置采用单光源，该单光源的出射光具有双向光路，其中，两条单向光路分别设置在所述基板的两侧，每条单向光路经掩光板对该基板进行曝光操作。其中，所述曝光装置中每个单向光路均采用单独控制的方式。具体地，所述掩光板对位标识的形状为十字形。此外，所述基板的两侧面及掩光板上均设有基板对位标识，所述基板对位标识的形状为X形。(三)有益效果与现有技术相比，本专利技术有如下优点I、本专利技术在基板图案双面制程时，对掩光板预先进行对位操作，保证了基板双面图案的精确，保证了产品的质量；2、本专利技术进一步采用基板双面的对位标识进行对位操作，保证了基板双面图案位置精确，保证了产品的质量；3、本专利技术采用双面同时曝光的方式，提高了曝光工艺的效率，并保证了双面制程的精确定位。附图说明图I是本专利技术的双面制程流程图； 图2是本专利技术的曝光装置结构示意图；图3是本专利技术的基板及其标识结构不意图；图4是本专利技术的采用双向电源的曝光单元水平设置时的结构示意图；图5为本专利技术的基板对位标识不意图；图6为本专利技术的掩光板对位标识示意图。在附图中，各标记所代表的组件列表如下 I-掩光板,2-掩光板对位标识，3-基板,4-基板对位标识，5-曝光光源。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做一个详细的说明。现有双面制程中的基板对位标识识别难度较大，成品的良率较低，故本专利技术为解决该问题进行双面制程曝光装置的设计，主要是需要通过首先进行掩光板之间的对位处理，然后分别进行基板的双面图形制作。本实施例提供一种半导体和液晶显示器制作过程中双面制程方法及曝光装置，在曝光操作过程中，如图I和图2所示，该双面制程方法包括以下步骤SI :根据实际需要，对用于双面制程的两张掩光板I进行对位处理。掩光板I的对位处理，可采用人工手动调整的方式，也可以采用通过位置测量的方式。本实施例优选的方式为在两张掩光板I上分别设定掩光板对位标识2,该掩光板对位标识2可采用任何图案标记，如图6所示，本实施例中掩光板对位标识2采用了十字形状。根据设定的掩光板对位标识2，对两张掩光板I进行对位处理，完成位置的调整。曝光单元区域中的曝光方向可以为竖直方向也可以为水平方向；实际使用中，曝光装置可以使用双曝光光源。曝光装置也可以在曝光单元原有结构上使用单曝光光源。S2 :将基板3运送到曝光装置的两张掩光板I之间；通常预先将需要进行双面制程的基板3进行双面涂布BM光刻胶的处理。S3 :进行该基板3双面图形的制作。在S3步骤中，首先分别在基板3的双面制作基板对位标识4，如图3和图5所示，本实施例优选在基板3的上表面和下表面分别对应设置基板对位标识4，该基板对位标识的形状可以为X形或任一图形。同时，如图6所不,在掩光板I表面也与基板3对应设置相同的基板对位标识4 ；制作完成后，进行基板对位标识4的对位操作。基板3按照正常的顺序进行双面图形的制作。基板3的对位操作，是通过将基板表面的基板对位标识4与对应设置在掩光板I上的基板对位标识4相对位。基板3双面的图形在制程时，都需要进行基板对位标识4的对位操作，从而保证基板3的双面制程的精确性，满足作为光栅产品或高精度Touch产品的性能要求。如图4所示，本实施例提供的双面制程曝光装置，包括两张掩光板1，需要加工的基板3设置在所述两张掩光板I之间，该两张掩光板I上分别设有掩光板对位标识2，用于对掩光板I进行对位处理。该掩光板对位标识2可采用任何图案标记，本实施例中可以采用十字形状或任一形状的掩光板对位标识2。基板3的两侧面及掩光板I上均设有基板对位标识4，用于在对基板曝光处理前进行对位操作，本实施例中，基板对位标识4的形状可以为X形。 本曝光装置在使用双光源情况下，将两个曝光光源5分别布置在将要进行双面制程的基板3两侧，并置于对应的掩光板I外侧。每条单向光路经掩光板I对该基板3进行曝光操作。如使用单曝光光源，该方式需要进行原有光源的光路改造，将原有光源通过光路改造成双向光路(水平或竖直皆可)，其中，两条单向光路分别设置在所述基板3的两侧，每条单向光路经掩光板I对该基板3进行曝光操作。采用的改造方法可以通过镜面反射、透镜折射等光路调整方式完成，且在该单曝光光源的双向光路中，单向光路可以采用单独控制方式，单独控制方式下的单向光路便于调整曝光光路，保证产品曝光工艺质量。在掩光板制程过程中掩光板图形精度可以达到I. Oum左右，在现有曝光设备中掩光板的对位标识识别以及对位系统对位精度可以在I. 0-2. Oum左右，最终形成的基板对位标识的精度可以控制在3. Oum以内。而现有使用的不经过对位的双面制程工作对位精度可以控制在30um左右，故与现有技术相比，该技术可以大大提升双面制程的对位精度。以上实施方式仅用于说明本专利技术，而并非对本专利技术的限制，有关
的普通技术人员，在不脱离本专利技术的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本专利技术的范畴，本专利技术的专利保护范围应由权利要求限定。权利要求1.一种双面制程方法，其特征在于，在曝光操作过程中，包括以下步骤 51:对曝光装置内两张掩光板进行对位处理； 52:将基板运送到曝光装置的两张掩光板之间； 53:在所述基板上进行双面图形的曝光操作。2.根据权利要求I所述的双面制程方法，其特征在于，步骤SI中，所述两张掩光板根据该两张掩光板上分别设有的掩光板对位标识进行对位处理。3.根据权利要求I所述的双面制程方法，其特征在于，步骤S3中，所述基板任一面进行曝光操作时，均预先通过基板两侧和掩光板上分别设有本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种双面制程方法，其特征在于，在曝光操作过程中，包括以下步骤：S1：对曝光装置内两张掩光板进行对位处理；S2：将基板运送到曝光装置的两张掩光板之间；S3：在所述基板上进行双面图形的曝光操作。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王灿，何璇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。