晶圆研磨用承载盘组件制造技术

本发明专利技术公开一种晶圆研磨用承载盘组件，所述承载盘组件包含：一承载系统，包含：一承载台，具有一上表面，所述上表面为一平面，与所述晶圆的一表面相接触；以及至少一个容置空间，凹设于所述承载台的中间部分，其中所述容置空间具有一底部与所述承载台的上表面之间有一高度差，并所述高度差大于所述晶圆的表面上的多个凸块的最大高度；以及一周边吸持系统，包含：至少一真空通孔，设置于所述承载台的周边，所述真空通孔与所述承载台的上表面相连结，所述真空通孔以提供真空吸持所述晶圆的表面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种晶圆研磨用承载盘组件，特别是有关于一种可取代研磨胶带且可重复使用的晶圆研磨用承载盘组件。
技术介绍
目前，多层金属化制造过程(multi-level metallization process),这种利用复数层的金属内联线路层以及介电常数较低的介电层(dielectrics)互相交替堆迭来将半导体晶片有源表面上的各种半导体元件彼此串接起来而完成整个堆迭化的回路架构，已被广泛的应用在超大型积体电路(very large scaleintegration,VLSI)的晶圆制造过程 上。然而，在一般的晶圆制作过程中，这些金属线路及半导体元件会使积体电路的表面呈现高低不平的陆峭形貌(severe topography),增加后续在进行沉积或图案转移(pattern transfer)制作方法时,产生有突悬(overhang)、孔洞(void)或者聚焦不易以及蚀刻困难等缺点。所以，在进入深次微米的半导体制作方法之后，便需要使用平坦化效果较佳的化学机械研磨(Chemical mechanicalpolishing, CMP)工艺来研磨以平坦化半导体晶片的有源表面，以确保后本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆研磨用承载盘组件，其特征在于：所述承载盘组件包含：一承载系统，包含：一承载台，具有一上表面，所述上表面为一平面，与一晶圆的一表面相接触；以及至少一个容置空间，凹设于所述承载台的中间部分，其中所述容置空间具有一底部与所述承载台的上表面具有一高度差，并所述高度差大于所述晶圆的表面上的多个凸块的最大高度；以及一周边吸持系统，包含：至少一真空通孔，设置于所述承载台的周边，所述真空通孔与所述承载台的上表面相连结，所述真空通孔以提供真空吸持所述晶圆的表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张惠姗，洪嘉临，彭淯慈，赖宥丞，简翊丞，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：