本发明专利技术提出了一种用于抑制噪声经由电子设备中的间隙泄漏到框架外部的措施，其中框架中包括电子部件，框架具有导电性质并且具有连接内部空间和外部空间的间隙。电子设备包括：导电框架(10)，具有连接内部空间和外部空间的间隙(40)；容纳在框架(10)中的电子部件(20)；以及设置为与框架(10)的内壁面(11)接触的结构(30)，其中所述结构(30)包括：导电材料层，以及电介质材料层，位于导电材料层和框架(10)的内壁面(11)之间，以及导电材料层包括在其至少一部分区域中的重复结构。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种电子设备。
技术介绍
在导电框架中包括电子部件的电子设备是已知的。在这些电子设备中，在框架中存在连接内部空间和外部空间的间隙的电子设备是已知的。例如，PC(个人计算机)是其示例。PC包括诸如电子电路板之类的电子部件，例如，电子部件设置在由镁合金构成的框架中。例如在笔记本型PC的情况下，将用于安装更多存储器的盖体设置在其底部表面上，并且在盖体和框架体之间存在连接框架的内部空间和外部空间的间隙。其中存在连接框架的内部空间和外部空间的间隙的这种电子设备的示例包括PC、诸如投影仪之类的各种 类型的电子设备。这里，在具有上述配置的电子设备的情况下，可能发生这样的问题由于在框架中设置的电子部件操作而产生的噪声经由在框架中存在的间隙传播通过框架的内壁面并且泄漏到外部空间。专利文献I公开了一种抑制经由间隙的噪声泄漏的措施作为用于解决问题的手段，其使用这样的结构在框架中包括的间隙中设置屏蔽构件以覆盖连接框架的内部空间和外部空间的间隙。相关文献专利文献日本未审专利公开No.2001-7757
技术实现思路
然而像专利文献I中公开的技术，在通过对框架中存在的间隙进行直接处理(例如，用屏蔽构件覆盖间隙)来抑制噪声泄漏的措施的情况下，发生以下问题。例如如上所述，当用屏蔽构件覆盖间隙时，间隙存在于笔记本型PC的底部表面上设置以便安装更多存储器的盖体和框架本体之间，尽管可以打开或者关闭盖体以便安装更多的存储器，但是用屏蔽构件覆盖的间隙的状态可能改变。因此存在这样的问题在改变覆盖状态之后，不能获得足够的噪声泄漏抑制效果。此外，当有意地形成间隙以提供一定功能时，如果用屏蔽构件覆盖间隙可能会发生问题。因此，本专利技术的目的是提供一种手段，用于抑制诸如噪声经由间隙泄漏到框架外部之类的问题，而不在对框架中存在的间隙不进行任何直接处理。根据本专利技术，提出了一种电子设备，包括导电框架，所述导电框架具有导电性质，并且具有连接内部空间和外部空间的间隙；容纳在所述框架中的电子部件；以及设置为与所述框架的内壁面接触的结构，其中所述结构包括导电材料层、以及位于所述导电材料层和所述框架的内壁面之间的电介质材料层，并且所述导电材料层包括在其至少一部分区域中的重复结构。根据本专利技术，可以抑制噪声从电子设备的内部空间泄漏到外部空间的问题发生。附图说明根据结合附图对一些优选实施例的以下描述，本专利技术的以上和其他目的、优点和特征将变得更加明白，其中图I是示意性地示出了根据本专利技术实施例的电子设备的示例的截面图；图2是示意性地示出了根据本专利技术实施例的电子设备的示例的底视图； 图3是示意性地示出了根据本专利技术实施例的电子设备的示例的截面图图4是示意性地示出了根据本专利技术实施例的电子设备的示例的侧视图；图5是示意性地示出了根据本专利技术实施例的框架的内壁面和结构的示例的截面图；图6是示意性地示出了根据本专利技术实施例的电子设备中设置的EBG结构的示例的透视图；图7是示意性地示出了根据本专利技术实施例的电子设备中设置的EBG结构的示例的截面图；图8是根据本专利技术实施例的电子设备中设置的EBG结构的单位单元的等效电路图；图9是根据本专利技术实施例的电子设备中设置的EBG结构的等效电路图；图10是对其传播受到EBG结构抑制的噪声的频率范围进行计算的公式；图11是用于说明设置根据本专利技术实施例的结构的位置的截面图；图12是用于说明根据本专利技术实施例的制造结构的方法示例的截面图；图13是示意性地示出了根据本专利技术实施例的框架的内壁面和结构示例的截面图；图14是示意性地示出了根据本专利技术实施例的框架的内壁面和结构示例的截面图；图15是示意性地示出了根据本专利技术实施例的结构的示例的平面图；图16根据本专利技术实施例的电子设备中设置的EBG结构的单位单元的等效电路图；图17是用于说明根据本专利技术实施例的制造结构的方法示例的截面图；图18是示意性地示出了根据本专利技术实施例的框架的内壁面和结构示例的截面图；图19是示意性地示出了根据本专利技术实施例的框架的内壁面和结构示例的截面图；图20是示意性地示出了根据本专利技术实施例的结构的示例的平面图；图21是根据本专利技术实施例的电子设备中设置的EBG结构的单位单元的等效电路图；图22是示意性地示出了根据本专利技术实施例的框架的内壁面和结构示例的截面图；图23是用于说明根据本专利技术实施例的制造结构的方法示例的截面图；图24是示意性地示出了根据本专利技术实施例的框架的内壁面和结构示例的截面图；图25是示意性地示出了根据本专利技术实施例的岛状导体的示例的透视图；图26是示意性地示出了在根据本专利技术实施例的电子设备中设置的EBG结构的示例的透视图；图27是示意性地示出了在根据本专利技术实施例的电子设备中设置的EBG结构的示例的截面图；图28是根据本专利技术实施例的电子设备中设置的EBG结构的单位单元的等效电路图；图29是示意性地示出了根据本专利技术实施例的岛状导体的示例的透视图；图30是示意性地示出了在根据本专利技术实施例的电子设备中设置的EBG结构的示例的透视图；图31是根据本专利技术实施例的电子设备中设置的EBG结构的单位单元的等效电路图；图32是示意性地示出了根据本专利技术实施例的框架的内壁面和结构示例的截面图； 图33是示意性地示出了根据本专利技术实施例的框架的内壁面和结构示例的截面图；图34是示意性地示出了根据本专利技术实施例的框架的内壁面和结构示例的截面图；图35是示意性地示出了根据本专利技术实施例的框架的内壁面和结构示例的截面图；图36是示意性地示出了根据本专利技术实施例的第三导体的示例的平面图；图37是示意性地示出了根据本专利技术实施例的第三导体的示例的平面图；图38是示意性地示出了在根据本专利技术实施例的电子设备中设置的EBG结构的示例的透视图；图39是示意性地示出了在根据本专利技术实施例的电子设备中设置的EBG结构的示例的透视图；图40是示意性地示出了根据比较示例的截面结构的图；图41是示出了根据比较示例的结构的图；图42是示出了根据示例的结构的图；以及图43是示出了电磁场仿真结果的图。具体实施例方式下文中，将参考附图描述本专利技术的实施例。贯穿附图，用相同的参考数字表示相同的组成部件，并且将适当地省略其描述。<第一实施例> 首先，将描述根据本实施例的电子设备的总体结构。图I是示意性地示出了根据本实施例的电子设备的示例的截面图，以及图2是图I的电子设备的底视图。此外，图3是示意性地示出了根据本实施例的电子设备的另一个示例的截面图，以及图4是图3的电子设备的侧视图。如图I至4所示，根据本实施例的电子设备包括框架10、电子部件20和结构30。这里例如，具有图I和图2所示配置的电子设备是笔记本型PC。在附图中例如，参考数字10’表示框架10的一部分，并且与用于安装更多存储器的盖体相对应。如果必要，用户可以执行打开盖体10’、将存储器设置在预定的位置和关闭盖体10’的操作。在盖体10’和框架10的本体之间存在连接框架10的内部空间和外部空间的间隙40。投影仪是具有图3和图4所示配置的电子设备的示例。在附图中，参考数字10’是框架10的一部分，并且例如与装配到框架10 (本体)的盖体相对应。连接框架10的内部空间和外部空间的间隙40存在于盖体10’和框架10的本体之间。PC和投影仪只是示例，并且根据本实施例 的电子设备可以是其他类型的电子设本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：今里雅治，鸟屋尾博，小林直树，安道德昭，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。