振荡器制造技术

当在平面图中观看时，第二压电振子(30)位于第一压电振子(20)的中空部(21)中。支架(40)是框状构件，并且其内表面支撑振动构件(10)的边缘。所述第一压电振子(20)的基频谐振频率低于所述第二压电振子(30)的基频谐振频率。此外，当以所述基频谐振频率驱动所述第一压电振子(20)时，所述第二压电振子(30)与在所述振动构件(10)中产生的振动回路重叠。优选地，所述第二压电振子(30)的中心与所述第一压电振子(20)在所述振动构件(10)中产生的振动回路的中心重叠。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大西康晴，黑田淳，菰田元喜，佐藤重夫，村田行雄，岸波雄一郎，川岛信弘，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：
国别省市：