无铅半导体密封用玻璃制造技术

本发明专利技术的技术课题在于，开创了一种易于实现外观检查自动化、且澄清性和半导体元件的封装性优异的无铅半导体密封用玻璃。本发明专利技术的无铅半导体密封用玻璃的粘度为106dPa·s时的温度在670℃以下，作为玻璃组成，CeO2的含量为0.01～6质量%，且Sb2O3的含量在0.1质量%以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体密封用玻璃，具体而言，涉及用于封装热敏电阻、二极管、LED等半导体元件的玻璃。
技术介绍
热敏电阻、二极管、LED等半导体元件需要气密封装。以往，为了对半导体元件进行气密封装，一直以来使用铅玻璃，但近年来专利文献1及专利文献2等中所介绍的无铅玻璃也已为人所知。这样的半导体密封用玻璃是在熔融窑中将玻璃原料熔融，将熔融玻璃成型为管状，然后将所得玻璃管切断为约2mm的长度并清洗，制作被称为有孔玻璃珠（beads）的短玻璃管，接着，通过检查来剔除玻璃管的缺口和裂纹，再出货。且在二极管的组装中，为了进行端子处理，还需要将玻璃置于酸性镀液或熔剂（flux）中。半导体密封用玻璃被要求具有如下性能：（1）能够在不致使半导体元件劣化的低温下实现封装；（2）为确保高可靠性的粘合，具有不仅与半导体元件的热膨胀系数，而且与向半导体元件输入输出信号的金属线的热膨胀系数匹配的热膨胀系数；（3）玻璃与金属线的粘合性足够高；（4）体积电阻率高；（5）耐化学品性足够强等本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.01 JP 2010-1509711.一种无铅半导体密封用玻璃，其特征在于，所述无铅半导体密
封用玻璃的粘度为106dPa·s时的温度在670℃以下，作为玻璃组成，
CeO2的含量为0.01～6质量%，且Sb2O3的含量在0.1质量%以下。
2.根据权利要求1所述的无铅半导体密封用玻璃，其特征在于，
包括SiO2-B2O3-R2O类玻璃，并含有Li2O、Na2O和K2O中的2种以上
作为R2O，其中，R为碱金属。
3.根据权利要求1或2所述的无铅半导体密封用玻璃，其特征在
于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本幸市，
申请(专利权)人：日本电气硝子株式会社，
类型：
国别省市：