一种无桥功率因数校正电路制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种无桥功率因数校正PFC电路，具体包括：第一电感L1，第一桥臂、第二桥臂、和第一电容C1。应用本发明专利技术实施例所示的PFC电路，由于将现有技术中的MOS管S1和MOS管S2分别替换为一个MOS管和一个慢恢复二极管串联，然后再与一个快恢复二极管并联的结构，其解决了现有技术所示PFC电路的反向恢复问题，使得PFC电路可以工作在CCM状态下。快恢复二极管的工作频率与PFC电路的开关频率相同，慢恢复二极管的工作频率和PFC电路输入电源的频率相同。此外，在此基础上，将现有技术中的两个慢恢复二极管替换为两个MOS管，这两个MOS管的工作频率和PFC电路输入电源的频率相同，在输入电源的正负半周内交替导通，从而减小了整个电路的导通损耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率因数校正(PFC)
，特别涉及一种无桥功率因数校正电路。
技术介绍
近年来由于提升电源效率的需求，无桥功率因数校正(PFC，Power Factor Correction)的研究成为热点，如图1所示的无桥PFC电路逐渐成为高效率电源模块的流行拓扑，该电路中二极管D43以及二极管D44的作用是来抑制无桥PFC的共模噪声，也可以采用电容替代二极管D43以及D44来完成无桥PFC共模噪声的抑制。但是如图1所示的无桥PFC需要两个电感即第一电感L41和第二电感L42，而电感的利用率低并且体积大，因此限制了电源模块功率密度的提升。图2是一种图腾柱无桥PFC电路，其少用了一个电感，因而极大地提升了电感的利用率，并且减小了体积。由于MOS管体内二极管的反向恢复问题，此电路在连续导通模式(CCM，Continuous Conduction Mode)下，高频工作损耗过高，因此，该电路不能工作在CCM状态下，限制了该电路的应用。专利技术内容本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无桥功率因数校正PFC电路，其特征在于，包括：第一电感L1，第一桥臂、第二桥臂、和第一电容C1，其中所述第一电感L1，所述第一电感的第一端连接电源的第一端，第一电感的第二端连接第一桥臂的中点A；所述第一桥臂，包括第一上桥臂和第一下桥臂，其中，第一上桥臂的第一端与第一电容C1的第一端连接后作为所述PFC电路的第一输出端；第一上桥臂的第二端连接所述第一桥臂的中点A；第一下桥臂的第二端与第一电容C1的第二端连接后作为所述PFC电路的第二输出端；第一下桥臂的第一端连接所述第一桥臂的中点A；其中，所述第一上桥臂包括：第一二极管、第三二极管和第一MOS管，其中，所述第一MOS管的源极与第三二极管的阳极...

【技术特征摘要】
1.一种无桥功率因数校正PFC电路，其特征在于，包括：
第一电感L1，第一桥臂、第二桥臂、和第一电容C1，其中
所述第一电感L1，所述第一电感的第一端连接电源的第一端，第一电感的
第二端连接第一桥臂的中点A；
所述第一桥臂，包括第一上桥臂和第一下桥臂，其中，第一上桥臂的第一
端与第一电容C1的第一端连接后作为所述PFC电路的第一输出端；第一上桥臂
的第二端连接所述第一桥臂的中点A；第一下桥臂的第二端与第一电容C1的第
二端连接后作为所述PFC电路的第二输出端；第一下桥臂的第一端连接所述第
一桥臂的中点A；
其中，所述第一上桥臂包括：第一二极管、第三二极管和第一MOS管，
其中，所述第一MOS管的源极与第三二极管的阳极连接，第三二极管的阴极
和第一二极管的阳极分别连接至第一桥臂的中点A，第一二极管的阴极与第一
MOS管的漏极连接，并作为所述第一上桥臂的第一端；所述第一下桥臂包括：
第二二极管、第四二极管和第二MOS管，其中，所述第二MOS管的源极与第
四二极管的阳极连接，第二二极管的阴极和第二MOS管的漏极分别连接至第
一桥臂的中点A，第四二极管的阴极和第二二极管的阳极连接，并作为所述第
一下桥臂的第二端；
所述第二桥臂，包括第二上桥臂和第二下桥臂，其中，第二上桥臂的第一
端连接至第一上桥臂与第一电容C1相连第一端；第二上桥臂的第二端连接所
述第二桥臂的中点B；第二下桥臂的第二端连接至第一下桥臂与第一电容C1的
第二端相连的一端；第二下桥臂的第一端连接所述第二桥臂的中点B，所述第
二桥臂的中点B还连接至电源的第二端。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一二极管和第二二极
管为快恢复二极管，快恢复二极管的工作频率与PFC电路的开关频率相同；所
述第三二极管和第四二极管为慢恢复二极管，慢恢复二极管的工作频率和PFC
电路输入电源的频率相同。
3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡永辉，
申请(专利权)人：艾默生网络能源有限公司，
类型：发明
国别省市：