【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种智能过零投切的可控硅复合开关，它是用于控制电容器投切的器件，是电网无功补偿装置的重要组成部分，而投切开关元件性能的好坏对无功补偿装置的可靠性起着非常重要的作用。
技术介绍
在电网改造的实施过程中，往往需要增加并联电容器无功补偿装置，对提高供电电压质量，挖掘供电设备的潜力，降低线损及节能均起到积极的作用。 早期无功补偿装置大都采用交流接触器、可控硅电子开关等投切方式，交流接触器在电容器投入和切除时会产生很大的涌流和过压，暂态的高压和投切冲击电流会导致电容器绝缘击穿、接触器触头烧损；而可控硅电子开关虽然解决了电容器投切过程中的涌流、过压、分断电弧等问题，但其散热难，需外加辅助散热器件多、结构复杂、成本高，占用空间大，两种方式补偿效果和使用寿命上都不够理想。近年来，电力电子技术和可控硅技术的不断发展，在无功补偿装置中衍生出一种新型装置——复合开关。现有的复合开关结构是将可控硅与继电器并接，如图9所示。目前普遍认为的实现方法是投入时，在电压过零瞬间过零触发与继电器或接触器并联的可控硅，稳定后再将继电器或接触器吸合导通；而切出时，先将可控硅导通，然后在将...
【技术保护点】
一种智能过零投切的可控硅复合开关，包括控制电路（1）和可控硅复合开关（2），其特征在于：a、所述可控硅复合开关（2）包括双向可控硅SCR、第一电磁开关K1、第二电磁开关K2和电阻R，所述双向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子T1和第二主端子T2，且双向可控硅SCR的第一主端子T1和第二主端子T2与第一电磁开关K1的常开触点K1?1的两端相并联，第二电磁开关K2的常开触点K2?1与电阻R串联；由第二电磁开关K2的常开触点K2?1与电阻R构成的串联电路的两端并联在第一电磁开关K1的常开触点K1?1的两端；b、所述控制电路（1）包括CPU处理电路（1?1）、可控硅驱动电路（1...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：顾金华，
申请(专利权)人：常州市宏大电气有限公司，
类型：发明
国别省市：
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