TFT阵列基板、制备方法及量子点发光二极管显示器件技术

本发明专利技术公开了一种TFT阵列基板、其制备方法及量子点发光二极管显示器件，采用半色调掩膜板以及双氧水刻蚀液，可以通过一次构图工艺分别在氧化物半导体层形成氧化物半导体层的图形，以及在源漏极层形成源漏极的图形，这样，就可以在TFT结构中将源漏极直接设置在氧化物半导体层之上，不用在两者之间设置刻蚀阻挡层；并将该TFT结构的顶栅型结构应用于QD-LED显示器件的结构中，能实现结构简单的TFT阵列基板以及QD-LED器件，节省其制作工艺流程，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT阵列基板、其制备方法及量子点发光二极管显示器件。
技术介绍
目前，有源阵列显示面板中使用的薄膜晶体管(TFT)阵列基板的TFT由依次设置的栅极、氧化物半导体层、以及源漏极组成，在其制备过程中受到制备工艺的限制，一般会在氧化物半导体层和源漏极之间设置刻蚀阻挡层，以防止在对源漏极层进行构图时，刻蚀液对位于其下层的氧化物半导体层影响。而设置的刻蚀阻挡层会增加TFT在制备过程中的制备工艺。量子点又可称为纳米晶，是一种由II — VI族或III — V族元素组成的纳米颗粒。量子点的粒径一般介于I IOnm之间，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构，受激后可以发射荧光。可以通过改变量子点的尺寸大小来控制量子点的发射光谱，通过改变量子点的尺寸和它的化学组成可以使其发射光谱覆盖整个可见光区。以CdTe量子为例，当它的粒径从2. 5nm生长到4. Onm时，它们的发射波长可以从51Onm红移到660nm。目前，量子点作为一种显示材料且已经被广泛使用在了显示领域，利用量子点作为发光材料而制造出的显示器件称为量子点发光二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管TFT阵列基板，其特征在于，在所述TFT阵列基板的TFT结构中的源漏极直接设置于氧化物半导体层之上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚琪，戴天明，张锋，曹占锋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：