【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
用于半导体使用的光致抗蚀剂组合物通常包含盐作为酸生成剂。US2007/0122750记载由下式表示的盐作为酸生成剂。权利要求1.ー种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含树脂，所述树脂在碱水溶液中难溶或不溶但是通过酸的作用可溶，以及由式(I)表示的盐2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中L1由式(C-l)、(L-2)和0^-3)中的任一项表不3.根据权利要求2所述的光致抗蚀剂组合物，其中X1表示-0-* \ -NR3- * \ -0-C0- *\ -o-ch2- * \ -o-ch2-co-o- * 1 或-nr3-ch2- * S 其中*1 表示与 W1 的连接位置，并且其中 X2 表示-0- * 2、-NR3- * 2、-0-C0- * 2、-0-CH2- * 2、-0-CH2-C0-0- * 2 或-NR3_CH2- * 2，其中*2表示与W2的连接位置。4.根据权利要求1或2所述的光致抗蚀剂组合物，其中Z+是芳基锍阳离子。5.根据权利要求1或2所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述树脂具有由式(al-Ι)表示的结构单元6.根据权利要求1或2所述的光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物还包含碱性化合物。7.一种用于制备光致抗蚀剂图案的方法，所述方法包括步骤(1)至(5) (1)将根据权利要求1或2所述的光致抗蚀剂组合物涂敷在基板上的步骤， (2)通过进行干燥形成光致抗蚀剂膜的步骤， (3)将所述光致抗蚀剂膜曝光至辐射的步骤， (4)烘烤所曝光的光致抗蚀剂膜的步骤，以及 (5)将所烘烤的光致抗蚀剂膜显影，从...
【技术保护点】
一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含：树脂，所述树脂在碱水溶液中难溶或不溶但是通过酸的作用可溶，以及由式(I)表示的盐：其中Q1和Q2各自独立地表示氟原子或C1?C6全氟烷基，L1表示C1?C30三价脂族饱和烃基，其中氢原子可以用氟原子替换并且其中亚甲基可以用氧原子、?NR3?或羰基替换，其中R3表示氢原子或C1?C6烷基，W1和W2各自独立地表示C3?C36脂环烃环，其中亚甲基可以用氧原子、硫原子、?NR4?、磺酰基或羰基替换，其中R4表示氢原子或C1?C6烷基，R1和R2各自独立地表示羟基或C1?C6烷基，t1和t2各自独立地表示0至2的整数，并且Z+表示有机阳离子。FDA00002032505900011.jpg
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉田勋，向井优一，市川幸司，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。