【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种。
技术介绍
用于采用光刻エ艺的半导体微加工的光致抗蚀剂组合物包含具有酸不稳定基团的树脂和酸生成剂。US2008/166660A提到了包含具有酸不稳定基团和由式(I)表示的结构单元的树脂的光致抗蚀剂组合物；权利要求1.一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含由式(I)表示的盐2.根据权利要求I或2所述的光致抗蚀剂组合物，其中X2表示单键、亚甲基或1，2-亚乙基。3.根据权利要求I或2所述的光致抗蚀剂组合物，其中X2表示单键。4.根据权利要求I或2所述的光致抗蚀剂组合物，其中X1表示羰基或单键。5.根据权利要求I或2所述的光致抗蚀剂组合物，其中X1表示羰基。6.根据权利要求I或2所述的光致抗蚀剂组合物，其中R3表示甲基或氢原子。7.根据权利要求I或2所述的光致抗蚀剂组合物，其中R3表示甲基。8.根据权利要求I或2所述的光致抗蚀剂组合物，其中A1表示可以具有取代基的C3-C30脂环烃基，并且其中亚甲基可以被氧原子、磺酰基或羰基代替。9.根据权利要求I或2所述的光致抗蚀剂组合物，其中Z+是由式(b2-l-l)表示的有机阳离子10.根据权利要求9所述的光致抗蚀剂组合物，其中Rbl9、Rb20和Rb21是甲基，并且V2、w2和x2各自独立地表示0或I。11.根据权利要求I或2所述的光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物还包含具有由式(FI)表示的结构单元的树脂12.一种用于制备光致抗蚀剂图案的方法，所述方法包括步骤(I)至(5) (1)将根据权利要求I或2所述的光致抗蚀剂组合物涂敷在基板上的步骤， (2)通过进行干燥而形成光致抗蚀剂膜的...
【技术保护点】
一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含由式(I)表示的盐：其中Q1和Q2各自独立地表示氟原子或C1?C6全氟烷基，R1、R2和R3各自独立地表示氢原子或C1?C10一价脂族饱和烃基，X1和X2各自独立地表示单键、羰基或C1?C10二价脂族饱和烃基，其中氢原子可以被羟基代替，并且其中亚甲基可以被氧原子、磺酰基或羰基代替，A1表示C1?C30有机基团，ml表示1至4的整数，并且Z+表示有机阳离子；以及树脂，所述树脂难溶或不溶于碱性水溶液但是通过酸的作用可溶于碱性水溶液。FDA00001987671600011.jpg
【技术特征摘要】
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