电介质瓷组成物以及陶瓷电子零件制造技术

本发明专利技术的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有0.6～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式1.2≤α/β≤5.0、0.5≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明专利技术，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电介质瓷组成物以及将该电介质瓷组成物使用于电介质层的陶瓷电子零件，特别是涉及即使是将电介质层做成薄层的情况下也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及使用该电介质瓷组成物的陶瓷电子零件。
技术介绍
作为陶瓷电子零件的一个例子的叠层陶瓷电容器，作为小型化、高性能化、高可靠性的 电子零件得到广泛应用，在电气设备和电子设备中使用的数目越来越多。近年来，随着设备的小型化和高性能化，对叠层陶瓷电容器的进一步小型化、高性能化、高可靠性化的要求越来越严格。 对于这样的要求，在例如日本专利特开平10-223471号公报中记载了具有在钛酸钡中含两种稀土氧化物和其他金属氧化物的电介质陶瓷层的叠层陶瓷电容器。而且记载了该叠层陶瓷电容器的介电常数、绝缘电阻、温度特性以及高温负荷寿命等的耐候性优异的情况。 但是，特开平10-223471号公报的实施例中记载的叠层陶瓷电容器的电介质层的厚度为8微米,存在进一步使该电介质层薄型化的情况下不能提高特性的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的实际情况而作出的，其目的在于，提供即使是使电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电介质瓷组成物，其特征在于，作为主成分，含有用一般式ABO3表示的具有钙钛矿型结晶结构的化合物，(A是Ba、Ca和Sr中选出的至少一种，B是从Ti和Zr选出的至少一种)相对于100摩尔的上述化合物，作为副成分，含有用RA2O3换算，0.6～2.5摩尔的RA氧化物，RA为Dy、Gd以及Td形成的一群中选出的至少一种、用RB2O3换算，0.2～1.0摩尔的RB氧化物，RB为Ho和Y形成的一群中选出的至少一种、用RC2O3换算为0.1～1.0摩尔的RC氧化物，RC为Yb及Lu形成的一群中选出的至少一种、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的含Si化合物；相对...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：福冈智久，高野弘介，前田信，松永裕太，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：