石墨烯薄膜制备方法及应用技术

本发明专利技术适用于薄膜制备技术领域，提供了一种石墨烯薄膜制备方法及应用。该石墨烯薄膜制备方法包括制备氧化石墨烯悬浮液、制备氧化石墨烯薄膜、制备石墨烯薄膜等步骤。本发明专利技术石墨烯薄膜制备方法，实现了所制备的氧化石墨烯薄膜不会膨胀或破损，而且具有优异的电导率；本发明专利技术石墨烯薄膜制备方法，操作简单，成本低廉，对环境友好，非常适于工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于薄膜制备
，尤其涉及一种石墨烯薄膜制备方法及其应用。
技术介绍
单层石墨烯由于其大的比表面积，优良的导电、导热性能和低的热膨胀系数而被认为是理想的材料。如①高强度，杨氏摩尔量，(1，IOOGPa)，断裂强度(125GPa);②高热导率，(5, OOOff/mK);③高导电性、载流子传输率，(200，OOOcmVV · s);④高的比表面积，(理论计算值2，630m2/g)。尤其是其高导电性质，大的比表面性质和其单分子层二维的纳米尺度的结构性质，可在超级电容器和锂离子电池中用作电极材料，在柔性功能器件领域有着潜在的应用价值。 目前，制备石墨烯薄膜存在还原方法条件较为苛刻，要在惰性或还原气氛中进行，还原温度高达100(TC，而且要求承载石墨烯及其薄膜的基片能够耐受高温，不利于节能降耗及柔性导电薄膜的制备；水合肼还原成本高，污染环境，石墨烯薄膜易膨胀或破碎，无法得到高电导性的石墨烯薄膜。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种石墨烯薄膜制备方法，解决现有技术中石墨烯薄膜制备方法条件苛刻，污染环境，所制备得到的石墨烯薄膜膨胀或破碎，导电率低的技术问题；以及石墨烯薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨烯薄膜制备方法，包括如下步骤：将氧化石墨加入至醇溶剂中，超声处理后得到氧化石墨烯悬浮液；将该氧化石墨烯悬浮液进行微孔滤膜真空过滤，得到氧化石墨烯薄膜；将六氯化钨加入至四氢呋喃中，得到第一溶液，向所述第一溶液中加入金属氢化物，搅拌反应，得到混合溶液，将该氧化石墨烯薄膜加入至该混合溶液中浸泡，反应后得到石墨烯薄膜前体，将该石墨烯薄膜前体真空干燥，得到石墨烯薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，吴凤，王要兵，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：