包含二苯并呋喃化合物和8-羟基喹啉根合碱土金属或碱金属配合物的层的有机电子器件制造技术

技术编号:8379621 阅读:365 留言:0更新日期:2013-03-01 19:52
本发明专利技术提供一种有机电子器件,其包括第一电极、第二电极和穿插在第一电极和第二电极之间的有机层,其中有机层包含式(I)的有机金属配合物和式(II)或(III)化合物。有机电子器件,尤其是有机发光器件可具有优异的寿命、功率效率、量子效率和/或低操作电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含二苯并呋喃化合物和8-轻基喹啉根合碱土金属或碱金属配合物的层的有机电子器件本专利技术提供一种有机电子器件,其包括第一电极、第二电极和穿插在第一电极和第二电极之间的有机层,其中有机层包含式I的有机金属配合物和式II或III化合物。如Merck的专利所述。W010072300涉及有机电致发光器件,其包含任选与有机碱金属化合物组合的三嗪衍生物作为电子传输材料。作为有机碱金属化合物的实例,提及8-羟基喹啉锂。W02006128800 公开了 式权利要求1.一种有机电子器件,其包括第一电极、第二电极和穿插在第一电极和第二 电极之间的有机层,其中有机层包含式2.根据权利要求I的有机电子器件,其中式II化合物为式 的化合物,并且式III化合物为式3.根据权利要求2的有机电子器件,其中R81为Cxl4.根据权利要求1-3中任一项的有机电子器件,其中A为单键,基团-SiR83R84-,下式基5.根据权利要求1-4中任一项的有机电子器件,其中式II或III化合物为下式化合物6.根据权利要求1-5中任一项的的有机电子器件,其中式I化合物为下式化合物7.根据权利要求1-6中任一项的有机电子器件,其为有机发光器件,包含阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴和激子阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极,其中包含式I和II或III化合物的有机层构成电子传输层。8.根据权利要求7的有机电子器件,其中电子传输层包含式9.根据权利要求7或8的有机电子器件,其中电子注入层包含氟化钾或Liq或由氟化钾或Liq组成。10.根据权利要求7-9中任一项的有机电子器件,其中发光层包含式11.根据权利要求10的有机电子器件,其中式IX化合物为下式化合物12.根据权利要求7-11中任一项的有机电子器件,其中空穴传输层包含式13.有机层,尤其是电子传输层,其包含如权利要求I所定义的式I的有机金属配合物 和如权利要求I所定义的式II或III化合物。14.根据权利要求13的有机层在有机电子器件中的用途。15.一种装置,其包含根据权利要求1-12中任一项的有机电子器件,或根据权利要求13的有机层,尤其是电子传输层。全文摘要本专利技术提供一种有机电子器件,其包括第一电极、第二电极和穿插在第一电极和第二电极之间的有机层,其中有机层包含式(I)的有机金属配合物和式(II)或(III)化合物。有机电子器件,尤其是有机发光器件可具有优异的寿命、功率效率、量子效率和/或低操作电压。文档编号H05B33/14GK102947416SQ201180030023 公开日2013年2月27日 申请日期2011年6月16日 优先权日2010年6月18日专利技术者N·兰格尔, G·瓦根布拉斯特, O·莫尔特, C·席尔德克内希特, E·弗茨, K·多尔曼, 渡边宗一, T·格斯纳, C·伦纳茨, H·沃勒布, 田边纯一 申请人:巴斯夫欧洲公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:N·兰格尔G·瓦根布拉斯特O·莫尔特C·席尔德克内希特E·弗茨K·多尔曼渡边宗一T·格斯纳C·伦纳茨H·沃勒布田边纯一
申请(专利权)人:巴斯夫欧洲公司
类型:
国别省市:

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