用于电子器件的化合物制造技术

技术编号:8379614 阅读:169 留言:0更新日期:2013-03-01 19:49
本发明专利技术涉及通式(I)的化合物,涉及通式(I)化合物在电子器件中的用途,并且涉及包含一种或多种通式(I)化合物的电子器件。本发明专利技术还涉及制备通式(I)化合物的方法,并且涉及包含一种或多种通式(I)化合物的制剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及通式(I)的化合物,涉及通式(I)的化合物在电子器件中的用途,并且涉及包含一种或多种通式(I)化合物的电子器件。本专利技术还涉及通式(I)化合物的制备方法,并且涉及包含一种或多种通式(I)化合物的制剂。
技术介绍
正在开发在电子器件中用于许多不同应用的有机半导体材料,例如本专利技术的化合物。例如在US 4539507, US 5151629, EP 0676461 和 WO 98/27136 中描述了其中本专利技术化合物可用作功能材料的有机电致发光器件(OLED)的结构。在有机电致发光器件的性能数据方面,特别是考虑到广泛的商业用途,仍需要进一步改进。在这一点上特别重要的是有机电致发光器件的寿命、效率和工作电压,和实现的色度值。特别是在发蓝色光电致发光器件的情况下,在器件寿命方面有改进的可能。 另外,希望用作有机半导体材料的化合物具有高的热稳定性和高玻璃化转变温度,而且在不分解的情况下可升华。在这一点上,尤其需要备选的空穴传输材料。在现有技术的空穴传输材料的情况下,电压通常随着空穴传输层的层厚度而升高。在实践中,通常希望空穴传输层的更大的层厚度,但这通常产生工作电压更高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗科·福特克里斯托夫·普夫卢姆康斯坦策·布罗克埃米尔·侯赛因·帕勒姆
申请(专利权)人:默克专利有限公司
类型:
国别省市:

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