【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在娃的Ct位具有杂取代基的有机烧氧基氧娃烧的制备方法。
技术介绍
通式(3):H-SiR2c (CR13-Jb) a (OR8) 3_a_c (3)(式中,R1、R2、R8、Y、a、b、c与前述相同。)所示的烷氧基硅烷(A)为一种独特的化合物,其特征在于,在硅上具有烷氧基、氢基及在α位具有杂取代基的烃基(以下,有时也记为杂甲基(hetero methyl))。作为制备烧氧基娃烧化合物的一般的方法,可举出使对应的氯硅烷和醇反应的方法。然而,在具有Si-H的硅烷化合物中,存在容易引起氢甲硅烷基被烷氧基化的副反应的课题。特别是本专利技术的具有杂甲基的硅烷化合物具有更容易引起副反应的倾向。在专利文献I中,公开有通过使用原酸酯代替醇,高效地制备该硅烷化合物的方法。现有技术文献 专利文献专利文献I :W02010/004948号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题在专利文献I的权利要求及实施例中,记载有通过使原甲酸三甲酯作用于氯甲基二氯硅烷来高效地得到氯甲基二甲氧基硅烷。该反应为放热反应,作为副产物生成与Si-Cl 的量等摩尔量的氯甲烷及甲酸甲酯。因此,反应规 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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