本实用新型专利技术公开了一种高低压输配电柜，包括多个电压传感器和多个交变弱磁传感器，其中每个电压传感器的端部上均具有一个或多个安装孔，每个安装孔中至多设置有一个所述交变弱磁传感器。本实用新型专利技术的高低压输配电柜通过利用电压传感器的封装材料的绝缘性和屏蔽性来减少交变弱磁传感器之间的干扰和外部其他器件或装置对交变弱磁传感器的干扰。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种高低压输配电柜，特别是涉及一种具有抗干扰的交变弱磁传感器的高低压输配电柜。
技术介绍
现有的高低压输配电柜中应用交变弱磁传感器技术后，各个交变弱磁传感器之间存在自身的干扰以及整个高低压输配电柜通电后来自外界的干扰，从而导致交变弱磁传感器检测的数据不稳定以及测量结果不精确。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是为了克服现有技术的高低压输配电柜中各个交·变弱磁传感器受到的干扰严重的缺陷，提供一种高低压输配电柜，通过利用电压传感器的封装材料的绝缘性和屏蔽性来减少交变弱磁传感器之间的干扰和外部对交变弱磁传感器的干扰。本技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题的本技术提供了一种高低压输配电柜，包括多个电压传感器和多个交变弱磁传感器，其特点是，每个电压传感器的端部上均具有一个或多个安装孔，每个安装孔中至多设置有一个所述交变弱磁传感器。现有技术中电压传感器的端部为包覆电压传感器的包装或封装材料，为了防止外部电磁信号对电压传感器检测的干扰，所述材料具有高绝缘性。本技术将交变弱磁传感器设置于电压传感器的高绝缘的包装或封装上，从而来减弱交变弱磁传感器之间的干扰以及外界元件或器件等对交变弱磁传感器的干扰。较佳地，所述每个交变弱磁传感器均整体地设置于所述安装孔中。为了进一步地减弱交变弱磁传感器之间的干扰以及外界元件或器件等对交变弱磁传感器的干扰，可以将所述交变弱磁传感器完整地设置于安装孔中，即若当所述安装孔封闭时，所述交变弱磁传感器将被完全包覆。较佳地，所述安装孔设置于所述电压传感器的端部的封装材料中。较佳地,每个交变弱磁传感均与一处理单元电连接。本技术的积极进步效果在于本技术的高低压输配电柜通过利用电压传感器的封装材料的绝缘性和屏蔽性来减少交变弱磁传感器之间的干扰和外部其他器件或装置对交变弱磁传感器的干扰。而且本技术的交变弱磁传感器抗干扰方式具有结构简单、制作成本低廉以及性能稳定等优点。附图说明图I为本技术的高低压输配电柜的较佳实施例的电压传感器剖面结构示意图。具体实施方式以下结合附图给出本 技术较佳实施例，以详细说明本技术的技术方案。实施例本实施例中利用传统的输配电柜中成套设备零部件，即电压传感器，在其端部制作一个适合交变弱磁传感器的安装孔，安装后，磁传感器无突出电压传感器表面。利用电压传感器包装或封装的高绝缘性能，从而起到磁传感器之间互相不干扰，且不受外部磁信号影响，起到屏蔽的效果。所以如图I所示，本实施例中一个设置有交变弱磁传感器的电压传感器的结构中包括一电压传感器I和一交变弱磁传感器2。其中所述电压传感器I的顶部具有安装孔11、安装孔12和安装孔13，如图I所示，所述交变弱磁传感器2设置于安装孔12中。虽然本实施例中所述电压传感器I中仅有安装孔12中设置了交变弱磁传感器2，但是所述交变弱磁传感器2也可以设置于所述安装孔11或安装孔13中，此外若有2个交变弱磁传感器2，则所述交变弱磁传感器2可以设置于所述安装孔11、安装孔12和安装孔13中任意两个，若具有3个交变弱磁传感器2，则所述安装孔11、安装孔12和安装孔13中均设置有交变弱磁传感器2。而且本实施例中所述电压传感器I可以根据具体的需要设置任意数量的安装孔，此时所述可以在所述安装孔中任意地设置所述交变弱磁传感器2。并且所述安装孔可以设置于所述电压传感器I中任意一端，例如底部等，而不仅限于所述电压传感器I的顶部。此外本实施例中所述电压传感器I的顶部为所述电压传感器I的封装材料，而且如图I所示，所述交变弱磁传感器2整体地设置于安装孔12中。所述交变弱磁传感器2还与外部的一处理单元(图中未显示)电连接。而且本实施例中所述高低压输配电柜中可以根据需要包括任意数量的如上所述的电压传感器I。此时所述处理单元采集所述电压传感器I中设置的所有交变弱磁传感器2的信号。从而检测所述高低压输配电柜的工作状态。虽然以上描述了本技术的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，本技术的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本技术的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本技术的保护范围。权利要求1.一种高低压输配电柜，包括多个电压传感器和多个交变弱磁传感器，其特征在于，每个电压传感器的端部上均具有一个或多个安装孔，每个安装孔中至多设置有一个所述交变弱磁传感器。2.如权利要求I所述的高低压输配电柜，其特征在于，所述每个交变弱磁传感器均整体地设置于所述安装孔中。3.如权利要求I所述的高低压输配电柜，其特征在于，所述安装孔设置于所述电压传感器的端部的封装材料中。4.如权利要求1-3中任一项所述的高低压输配电柜，其特征在于，每个交变弱磁传感均与一处理单元电连接。专利摘要本技术公开了一种高低压输配电柜，包括多个电压传感器和多个交变弱磁传感器，其中每个电压传感器的端部上均具有一个或多个安装孔，每个安装孔中至多设置有一个所述交变弱磁传感器。本技术的高低压输配电柜通过利用电压传感器的封装材料的绝缘性和屏蔽性来减少交变弱磁传感器之间的干扰和外部其他器件或装置对交变弱磁传感器的干扰。文档编号G01R1/18GK202757967SQ20122033346公开日2013年2月27日 申请日期2012年7月10日 优先权日2012年7月10日专利技术者罗豪甦, 包启树, 朱彬, 刘君, 狄文宁, 金煜国 申请人:人民电器集团上海有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高低压输配电柜，包括多个电压传感器和多个交变弱磁传感器，其特征在于，每个电压传感器的端部上均具有一个或多个安装孔，每个安装孔中至多设置有一个所述交变弱磁传感器。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗豪甦，包启树，朱彬，刘君，狄文宁，金煜国，
申请(专利权)人：人民电器集团上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。