复合结构的直流磁传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种复合结构的直流磁传感器，包括由磁致伸缩材料层和压电材料层组成的层状结构体，其特征在于：在磁致伸缩材料层上设置有非晶态合金薄膜层，非晶态合金薄膜层和压电材料层分别位于磁致伸缩材料层大平面的两侧。本发明专利技术的有益技术效果是：提高了传感器的直流灵敏度，而且尺寸较小，有利于制备小型化高灵敏的磁传感器件，相比传统的磁致伸缩材料/压电材料复合的磁传感器，本发明专利技术的传感器既可以探测交流磁场也可以探测直流磁场，具有更强的探测功能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磁-电转化装置，尤其涉及一种复合结构的直流磁传感器。
技术介绍
随着现代科学技术的发展，磁传感器不仅可直接用于磁场测量，还可用于磁场有关的其他物理量(包括光、电以及力等物理量)的间接测量或控制，为磁传感器的飞速发展提供了更好的机会，并形成了非常可观的磁传感器产业。传统的超导量子干涉器件SQUID具有极高的灵敏度，其灵敏度可达10_14 T，但是它需要在低温-273度下工作，并且制造工艺复杂，成本较高，仪器体积大，不便于携带，这些都限制了它的应用范围；而光泵式磁传感器、核磁共振磁传感器和磁通门传感器又存在结构笨重、复杂、价格昂贵、需要电源供电、功耗高等缺陷；感应式磁传感器虽然测量精度 较高，但是其线圈的体积较大，不利于小空间磁场的测量，并且不适合于探测缓慢变化的磁场；磁敏二极管和三极管传感器以及霍尔磁传感器虽然体积小，重量轻，但灵敏度低，且测量精度受温度影响较大；而半导体磁阻效应传感器和各向异性磁阻效应传感器磁场的灵敏度较低，不适合测量微弱磁场；巨磁阻效应传感器虽然灵敏度较高，但受温度的限制；由于现有的磁传感器存在这样或那样的缺陷，这就需要研究新的磁传感器和测量方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合结构的直流磁传感器，包括由磁致伸缩材料层（1）和压电材料层（2）组成的层状结构体，其特征在于：在磁致伸缩材料层（1）上设置有非晶态合金薄膜层（3），非晶态合金薄膜层（3）和压电材料层（2）分别位于磁致伸缩材料层（1）大平面的两侧。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李平，文玉梅，陈蕾，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：