一种稀土配位聚合物薄膜的电化学制备及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种稀土配位聚合物薄膜的电化学制备及其应用。该稀土配位聚合物薄膜的制备方法包括两种途径：(A)电沉积耦合水热/溶剂热法：先在导电基底材料表面制备一层稀土氧化物或稀土氢氧化物薄膜；然后利用溶剂热或水热法，在稀土氧化物或氢氧化物的薄膜表面生长一层稀土配位聚合物薄膜；(B)直接电化学沉积法：通过选取合适的电解液体系，改变相关离子在电极上的超电势，直接在阴极上沉积得到稀土配位聚合物薄膜。本发明专利技术制备的稀土配位聚合物薄膜，既能保留配位聚合物的金属有机框架微孔结构，又能形成规整的薄膜形貌，有望在气体吸附、分子离子识别、择形催化、物质分离等方面得到应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种稀土配位聚合物薄膜的电化学制备方法，包括A或B两种途径，其中，A途径包括如下步骤：a）往LnmXn溶液中插入导电材料，Ln=稀土离子，X=阴离子，？m，？n为自然数；b）以导电材料为电极电解LnmXn溶液；c）电解结束后，在导电材料表面生成一层均匀、致密的Ln(OH)x或LnxOy薄膜；d）将上一步得到的Ln(OH)x或LnxOy薄膜浸入到LnmXn及配体的溶液中，在50～250℃进行水热或溶剂热反应，冷却后，在原Ln(OH)x或LnxOy薄膜表面形成一层均匀、致密的稀土配位聚合物薄膜；B途径包括如下步骤：1）用溶剂将LnmXn及配体溶解后加入到电解池中，Ln=稀土离子，X=无机阴离子，m...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨洋溢，朱艺敏，曾承辉，褚天舒，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：