【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种银纳米线官能化碳纳米管抗静电剂及利用碳纳米管表面锚定钼晶种原位生长银纳米线的方法，属于抗静电剂
技术介绍
近年来，随着高分子材料的在各个领域广泛应用，因而对高分子材料的功能性提出了愈来愈多的要求，其中通用工程材料如聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺 (PEI)、聚醚醚酮(PEEK)，由于其本身优异的机械性能和耐热性能，在医用设备、化工设备、 电子装置及自动化的零部件等方面大量使用。然而其作为电的不良导体，当材料摩擦或者在使用环境中电子器件产生的电荷无法及时被泄漏，积累到一定程度时就会产生静电，进而造成人体伤害或致使电子产品损坏。因此降低材料电阻及时泄露电荷，防止静电的发生成为对以上材料提出的一个迫切需求。作为添加型的抗静电剂主要包括碳系和金属填料系，从添加材料本身的导电性质而言，采用金属基抗静电剂对于提高复合材料的电导率无疑是最有利的，但是金属添加材料的临界浓度较大，一般在50%左右，因此需要的量比较大，对成本增加较大，另外金属基功能填料大量的添加以及二者的相容性较差往往对形成复合材料的机械性能产生不利影响，再者二者的密度...
【技术保护点】
一种银纳米线官能化碳纳米管抗静电剂，其特征在于，抗静电剂是在表面巯基化碳纳米管上通过铂晶种直接原位生长由银纳米线的复合体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：付海，杜中杰，张晨，邹威，励杭泉，
申请(专利权)人：北京化工大学，
类型：发明
国别省市：
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