像素电路及驱动方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于有机发光显示技术领域，公开了一种能够补偿晶体管阈值电压漂移的控制有源发光二极管显示的电压驱动像素电路、驱动方法及显示装置。本发明专利技术的像素电路在向像素电路写入数据时通过隔断晶体管阻断驱动晶体管和有机发光二极管的连接，确保数据写入像素时不会对有机发光二极管的发光状态产生影响，避免了显示的闪烁。并通过存储电容预存驱动晶体管的阈值电压和数据电压信号，对阈值电压漂移进行了有效的补偿，保持了驱动电流的均匀性和稳定性，提高了显示装置的显示质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机发光显示
，特别是涉及一种能够补偿晶体管阈值电压漂移的控制有源发光二极管显示的像素电路及驱动方法、显示装置。
技术介绍
实现有源发光二极管(Active Matrix Organic Light-EmittingDiode,简称“AMOLED”)显示器的途径之一是使用有源矩阵薄膜晶体管背板。该有源矩阵薄膜晶体管背板上设置有由横纵交叉的栅线和数据线所限定的像素矩阵，每个像素包括一个有源器件(如晶体管)和发光器件(如发光二极管)。栅极驱动电路依次向被选择的栅线上提供选择信号，开启像素中的晶体管，然后数据驱动电路通过数据线将数据信号传送到导通的像素。因为AMOLED显示器的发光亮度和提供给有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称“OLED”)器件的驱动电流的大小成正比，故为了实现最佳的显示效果，需要较大的驱动电流，故低温多晶硅背板技术，由于可以提供较高的迁移率，是AMOLED显示背板技术的最佳选择，但是低温多晶硅技术固有的阈值电压漂移问题，造成了像素电路产生的驱动电流的不均匀性，给显示亮度的均匀性提出了挑战。为了能有效补偿TFT阈值电压的漂移，在进行电路设计中常常引入补偿技术，从而获得较好的显示亮度均匀性。本专利中提出了一种电路结构简单的像素电路的设计，该像素电路有效的对阈值电压的漂移进行了了有效的补偿。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是提供一种像素电路，用以补偿低温多晶硅背板的阈值电压漂移。本专利技术还提供一种用于驱动上述像素电路的驱动方法，以驱动上述像素电路在工作过程中能够补偿低温多晶硅背板的阈值电压漂移。同时，本专利技术还提供一种有机发光显示装置，包括上述像素电路，以提高显示质量，不会出现显示闪烁问题。(二)技术方案为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种像素电路，包括有机发光二极管、总电源极、接地极、开关晶体管、隔断晶体管、驱动晶体管、补偿晶体管和存储电容，其中，用于控制数据线的数据电压写入的所述开关晶体管，其栅极与栅线连接，漏极连接数据线，源极分别连接所述存储电容的一端和所述驱动晶体管的栅极；所述存储电容的另一端连接所述总电源极；用于向所述存储电容预先存储阈值电压的所述补偿晶体管，其栅极与栅线连接，源极和漏极分别连接所述驱动晶体管的栅极和漏极；用于为所述有机发光二极管提供驱动电流的所述驱动晶体管，其源极与所述总电源极连接，漏极还连接所述隔断晶体管的源极；用于隔断所述驱动晶体管与所述有机发光二极管连接的所述隔断晶体管，其栅极与一使能电极连接，漏极与所述有机发光二极管的阳极连接；所述有机发光二极管的阴极连接所述接地极。如上所述的像素电路，优选的是，还包括 用于所述开关晶体管关断时隔断所述开关晶体管漏电流的阻断电容；所述开关晶体管的源极通过所述阻断电容再分别连接所述存储电容的一端和所述驱动晶体管的栅极。如上所述的像素电路，优选的是，还包括用于为所述驱动晶体管的栅极提供初始电压的复位晶体管，其栅极与一复位控制电极连接，漏极连接一复位电源极，源极连接所述驱动晶体管的栅极。本专利技术还提供一种像素电路的驱动方法，包括SI、施加一低电平信号至栅线，使得所述补偿晶体管和开关晶体管处于打开状态，给总电源极、使能电极和接地极施加电压信号，打开隔断晶体管和驱动晶体管，驱动晶体管的阈值电压和数据线上的数据电压信号写入所述存储电容；S2、施加一高电平信号至栅线，使得所述补偿晶体管和开关晶体管处于截断状态，给总电源极、使能电极和接地极施加电压信号，所述驱动晶体管保持打开状态，并打开所述隔断晶体管，利用存储在所述存储电容中的电压驱动发光二极管发光。如上所述的像素电路的驱动方法，优选的是，步骤SI之前还包括施加一高电平信号至栅线，使得所述补偿晶体管和开关晶体管处于截断状态，同时给复位控制电极和复位电源极施加电压信号至，打开复位晶体管，给所述存储电容充电至所述复位晶体管的复位电压。如上所述的电压驱动像素电路的驱动方法，优选的是，步骤SI中的给总电源极、使能电极和接地极施加电压信号具体为总电源极施加第一高电平信号，使能电极施加高电平信号，接地极施加低电平信号；步骤S2中的给总电源极、使能电极和接地极施加电压信号具体为电源极施加第二闻电平号，使能电极施加低电平号，接地极施加低电平号。同时，本专利技术还提供一种显示装置，包括如上所述的像素电路。(三)有益效果本专利技术所提供的像素电路在向像素电路写入数据时通过隔断晶体管阻断驱动晶体管和有机发光二极管的连接，确保数据写入像素时不会对有机发光二极管的发光状态产生影响，避免了显示的闪烁。并通过存储电容预存驱动晶体管的阈值电压和数据电压信号，对阈值电压漂移进行了有效的补偿，保持了驱动电流的均匀性和稳定性。还设置了阻断电容来隔断开关晶体管关断时存在的漏电流，防止漏电流衰减像素电路中的驱动电流。更进一步设置了复位晶体管，用于初始化驱动晶体管的栅极电压，因总电源极与像素电路之间存在导线电阻或寄生电阻，初始化后的栅极电压用于补偿电阻压降，保证像素驱动电流的稳定性，提高了显示装置的显示质量。附图说明图I为本专利技术实施例一中像素电路的结构示意图；图2为本专利技术实施例二中像素电路的驱动方法的驱动时序示意图；图3为本专利技术实施例二中像素电路在复位时序段I1的工作状态示意图；图4为本专利技术实施例二中像素电路在补偿时序段t2的工作状态示意图；图5为本专利技术实施例二中像素电路在驱动显示时序段t3的工作状态示意图。具体实施例方式下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。实施例一·图I所示为本专利技术实施例中像素电路的结构示意图。本实施例中以共阴极的有机发光二极管显示器的像素电路结构为例来具体说明电压驱动像素电路的电路结构及工作原理。如图I所示，本专利技术实施例中的像素电路包括4个薄膜晶体管，分别为开关晶体管101、隔断晶体管102、驱动晶体管103和补偿晶体管104,还包括存储电容106、总电源极110、接地极120和有机发光二极管130，栅线140提供选择信号来开启开关晶体管101，数据线150通过开关晶体管101向像素中写入数据电压信号。其中，开关晶体管101的栅极与栅线140连接，漏极连接数据线150，源极分别连接存储电容105的一端和驱动晶体管103的栅极，在栅线140选择信号的控制下，开关晶体管101向存储电容106和驱动晶体管103提供数据线150的数据电压信号Vdata，存储电容106的另一端连接总电源极110，在总电源极110的控制下，通过开关晶体管101给A点充电至数据电压信号Vdata，并由存储电容106保持该电压。补偿晶体管104的栅极与栅线140连接，源极和漏极分别连接驱动晶体管103的栅极和漏极，在栅线140选择信号的控制下，补偿晶体管104导通，驱动晶体管103的源极和漏极相连，形成一个二极管连接，保证驱动晶体管103处于饱和电流区，提供稳定的充电电流，在总电源极110的控制下，通过给存储电容106充电的方法，将驱动晶体管103的阈值电压Vth存储到存储电容106里，达到补偿阈值电压Vth的目的。驱动晶体管103受存储电容106存储电压的控制而导通或截断，其源极与总本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电路，包括有机发光二极管、总电源极、接地极、开关晶体管、隔断晶体管、驱动晶体管、补偿晶体管和存储电容，其特征在于，用于控制数据线的数据电压写入的所述开关晶体管，其栅极与栅线连接，漏极连接数据线，源极分别连接所述存储电容的一端和所述驱动晶体管的栅极；所述存储电容的另一端连接所述总电源极；用于向所述存储电容预先存储阈值电压的所述补偿晶体管，其栅极与栅线连接，源极和漏极分别连接所述驱动晶体管的栅极和漏极；用于为所述有机发光二极管提供驱动电流的所述驱动晶体管，其源极与所述总电源极连接，漏极还连接所述隔断晶体管的源极；用于隔断所述驱动晶体管与所述有机发光二极管连接的所述隔断晶体管，其栅极与一使能电极连接，漏极与所述有机发光二极管的阳极连接；所述有机发光二极管的阴极连接所述接地极。

【技术特征摘要】
1.一种像素电路，包括有机发光二极管、总电源极、接地极、开关晶体管、隔断晶体管、驱动晶体管、补偿晶体管和存储电容，其特征在于， 用于控制数据线的数据电压写入的所述开关晶体管，其栅极与栅线连接，漏极连接数据线，源极分别连接所述存储电容的一端和所述驱动晶体管的栅极； 所述存储电容的另一端连接所述总电源极； 用于向所述存储电容预先存储阈值电压的所述补偿晶体管，其栅极与栅线连接，源极和漏极分别连接所述驱动晶体管的栅极和漏极； 用于为所述有机发光二极管提供驱动电流的所述驱动晶体管，其源极与所述总电源极连接，漏极还连接所述隔断晶体管的源极； 用于隔断所述驱动晶体管与所述有机发光二极管连接的所述隔断晶体管，其栅极与一使能电极连接，漏极与所述有机发光二极管的阳极连接； 所述有机发光二极管的阴极连接所述接地极。2.根据权利要求I所述的像素电路，其特征在于，还包括 用于所述开关晶体管关断时隔断所述开关晶体管漏电流的阻断电容； 所述开关晶体管的源极通过所述阻断电容再分别连接所述存储电容的一端和所述驱动晶体管的栅极。3.根据权利要求I所述的像素电路，其特征在于，还包括 用于为所述驱动晶体管的栅极提供初始电压的复位晶体管，其栅极与一复位控制电极连接，漏极连接一复位电源极，源极连接所述驱动晶体管的栅极。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王颖，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：