光亮和快速的中子闪烁器制造技术

本发明专利技术涉及光亮和快速的中子闪烁器，具体地，包括通式为Cs(2-z)RbzLiLn(1-x)X6:xCe3+的闪烁材料的和γ中子检测器，其中X为Br或者I，Ln为Y或者Gd或者Lu或者Sc或者La，其中z大于或者等于0并且小于或者等于2，和x大于0.0005，所述材料通常为单晶形式。所述闪烁材料具有显著低的衰减时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新的闪烁材料，特别是单晶形式的闪烁材料，将它们制备成单晶的方法，以及它们用于检测和/或鉴别中子和/或Y射线辐射的应用。
技术介绍
闪烁材料广泛地用于检测Y射线(或者能量降低至IkeV或者更低的电磁波，以下称为“Y”)以及如中子、α-粒子等的粒子。 闪烁机制依赖于许多主要将入射光子或者粒子的高能量转化为可见光范围或者合理地接近可见光范围的光线的物理机理。人们对单晶形式的闪烁器，即在此应用范围内的由一个(最多几个)晶体构造的晶片尤为感兴趣。由于不存在易于存在于多晶材料中的穿过颗粒边界的内部漫射、非均质性以及其它缺点，单个晶体(单晶)构造使得它更易于在厚度方向上提取发射光。需要晶体结构(在原子意义上)是因为它决定着闪烁机制玻璃态状的非晶态物质可能会产生不同的闪烁性质。然后采用多种本领域技术人员熟知的器件，比如，光电倍增管、光电二极管等对提取的光线进行收集。另一种构造是仍然保持材料的晶体结构，以粉末的形式对其进行应用，以仍然能够进行光线提取的方式使其或者被结合剂包裹或者与粘合剂烧结或者混合。通常，当厚度超过几毫米(不足以阻止粒子或者光子充分入射的厚度)时，那些构造也是不透明的本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有快速衰减时间和高能量分辨率、鉴别中子和γ辐射的中子和γ检测器，所述检测器含有Cs(2？z)RbzLiLn(1？x)X6:xCe3+作为闪烁材料，其中X为Br或者I，Ln为Y或者Gd或者Lu或者Sc或者La，其中z大于或者等于0并且小于或者等于2，和x大于0.0005。

【技术特征摘要】
2004.01.09 EP 04290068.81.具有快速衰减时间和高能量分辨率、鉴别中子和Y辐射的中子和Y检测器，所述检测器含有Cs(2_z)RbzLiLn(1_x)X6:XCe3+作为闪烁材料，其中X为Br或者I，Ln为Y或者Gd或者Lu或者Sc或者La,其中z大于或者等于O并且小于或者等于2,和x大于O. 0005。2.根据权利要求I的检测器,其中X大于O.005。3.根据权利要求I的检测器,其中X小于O.3。4.根据权利要求I的检测器，其中X小于O.15。5.根据权利要求I的检测器，其中所述闪烁材料为单晶形式。6.根据权利要求I的检测器，其中所述单晶的体积至少为10mm3。7.根据权利要求I 4中任一项的检测器，其中所述闪烁材料为粉末形式。8.根据权利要求7的检测器，其中所述闪烁材料被粘合剂包裹或者与粘合剂烧结或混八口 ο9.根据权利要求I 4中任一项的检测器，其中所述闪烁材料具有下式Cs2LiYX6: xCe3+。10.根据权利要求I 4中任一项的检测器，其中所述闪烁材料具有下式Rb2LiYX6: xCe3+。11.式Cs(2_z)RbzLiLn(1_x)X6:XCe3+的材料在快速中子检测中用于以高能量分辨率确定、和中子辐射图谱以及用于鉴别中子和Y辐射的用途，其中X为Br或者I，Ln为Y或者Gd或者Lu或者Sc或者La,其中z大于或者等于O并且小于或者等于2,和x大于O. 0005。12.根据权利要求11的用途，其中X大于O.005。13.根据权利要求11的用途，其中X小于O.3。14.根据权利要求11的用途，其中X小...

【专利技术属性】
技术研发人员：KW克拉默，HU居德尔，A贝西埃，P多伦博斯，CWE范埃克，
申请(专利权)人：科学技术基金会，伯尔尼大学，
类型：发明
国别省市：