荧光传感器制造技术

本发明专利技术提供一种荧光传感器，该荧光传感器(10)具备：硅基板(11)，其形成了将荧光转换为电信号的PD元件(12)；LED基板(15)，其在第一主面(15A)上形成了产生激励光的LED元件(15C)；反射膜(20)，其对从LED基板(15)的第二主面(15B)放射的激励光的光量分布进行平均化；以及指示剂层(17)，其接受由反射膜(20)平均化后的激励光，并产生与分析物量相应的光量的荧光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种测量分析物(analyte)浓度的荧光传感器，尤其涉及一种具有指示剂(indicator)的突光传感器,该指示剂通过激励光的照射而产生与分析物浓度相应的光量的荧光。
技术介绍
已经开发了多种多样的用于测定液体中的分析物即被测量物质的浓度的分析装置。例如，已知一种荧光传感器，其向一定容量的透明容器内注入由于分析物的存在而性质变化并产生荧光的荧光色素和包含分析物的被测量溶液，并通过照射激励光并测量来自荧光色素的荧光强度来测量分析物浓度。此外，小型的荧光传感器中具有光源、光检测器和含有荧光色素的指示剂层。此外，通过向被测量溶液中的分析物能够进入的指示剂层照射来自光源的激励光，从而指示剂层内的突光色素产生与被测量溶液中的分析物浓度相应的光量的突光，该突光由光检测器受光。光检测器是光电转换兀件，输出与受光的光量相应的电信号。根据该电信号测量被测量溶液中的分析物浓度。此外，近年来，为了测量微量试样中的分析物，提出了使用半导体制造技术和微机械(micromachine)制造技术制作的突光传感器。例如，美国专利第5039490号说明书中公开了图I和图2所示的荧光传感器110。 图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种荧光传感器，其特征在于，具备：主基板，形成有将荧光转换为电信号的光电转换元件；发光元件基板，在第一主面上形成有产生激励光的发光元件；光量均匀化部，对从所述发光元件基板的第二主面放射的所述激励光的光量分布进行均匀化；以及指示剂，接受由所述光量均匀化部均匀化后的所述激励光，并产生与分析物量相应的光量的所述荧光。

【技术特征摘要】
2011.08.11 JP 176257/20111.一种突光传感器，其特征在于，具备 主基板，形成有将荧光转换为电信号的光电转换元件； 发光元件基板，在第一主面上形成有产生激励光的发光元件； 光量均匀化部，对从所述发光元件基板的第二主面放射的所述激励光的光量分布进行均匀化；以及 指示剂，接受由所述光量均匀化部均匀化后的所述激励光，并产生与分析物量相应的光量的所述荧光。2.如权利要求I所述的荧光传感器，其中， 在所述主基板上具有凹部，该凹部具有与主面平行的底面，所述光电转换元件形成在所述凹部的内壁上，所述发光元件基板和所述指示剂被配设在所述凹部的内部。3.如权利要求I所述的荧光传感器，其中， 所述光量均匀化部是对所述光量分布进行平均化的激励光扩散部。4.如权利要求3所述的荧光传感器，其中， 所述激励光扩散部具有衍射功能、散射功能、折射功能或者反射功能。5.如权利要求4所述的荧光传感器，其中， 所述激励光扩散部是在所述第二主面的至少与所述发光元件对置的区域上形成的反射膜。6.如权利要求5所述的突光传感器,其中， 所述反射膜是反射所述激励光并透射所述荧光的多层膜。7.如权利要求I所述的荧光传感器，其中， 所述光量均匀化部是对激励光的光量大的区域的光量进行衰减的激励光衰减部。8.如权利要求7所述的荧光传感器，其中， 所述激励光衰减部是在所述第二主面的至少与所述发光元件对置的区域上形成的、具有吸收所述激励光的功能的遮光膜。9.如权利要求2所述的荧光传感器，其中， 所述光量均匀化部是对所述光量分布进行平均化的...

【专利技术属性】
技术研发人员：前江田和也，松本淳，
申请(专利权)人：奥林巴斯株式会社，泰尔茂株式会社，
类型：发明
国别省市：