【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于制造单晶MSM-体以制造MSM-执行器的方法,还涉及这种单晶MSM-体,它是如何通过该方法被制造的。
技术介绍
MSM-执行器(也称为“MSM-执行机构”)通常在现有技术中是已知的并且利用这 样的效果,即,在磁场的影响下,所谓的磁控形状记忆材料(MSM=磁控形状记忆)实施膨胀运动(基于各MSM-体沿膨胀方向的长度,膨胀运动典型地处在个位数的百分比范围),可以是驱动的基础并且就此而言可以是公知的借助永磁体和/或电磁体实现的调整元件的一种备选。对这种MSM-执行器或MSM-执行元件的有效性起决定性作用的除了所使用的合金(典型地为NiMnGa-基的合金)外,就是晶体取向,MSM-元件沿这种晶体取向存在假定由现有技术公开的用于制造单晶MSM-材料的方法具有的特性为,通过将已熔融的合金材料置入型壳(Formschale)以及紧接着通过合金材料的冷却或凝固产生的晶体取向是随机的,带来的结果是,晶轴的取向无法预定并且然后必须通过接下来MSM-体的制造步骤形成。这种装置在图5的现有技术中示出一种以前述方式凝固且伸展的MSM-单晶10具有由型壳确定的几何纵轴12 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:M劳芬伯格,E帕古尼斯,A德雷弗曼,L斯特茨,
申请(专利权)人:ETO电磁有限责任公司,
类型:
国别省市:
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