多层反射镜制造技术

提供一种多层反射镜(80)，包括第一材料层(84)和硅层(82)。第一材料层和硅层形成叠层。硅层的暴露区域包括布置用以改善硅的暴露区域的鲁棒性的改性部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及多层反射镜，例如适于用在例如EUV光刻设备等光刻设备中的多层反射镜。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光·刻设备可用于例如集成电路(IC)制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。光刻技术被广泛认为是制造集成电路和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻技术形成的特征的尺寸变得越来越小，对于实现微型的将要制造的IC或其他器件和/或结构来说，光刻技术正变成更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式⑴所示C!) = k, (I)NA其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷(即施加)图案的投影系统的数值孔径，Iq是随工艺变化的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的(即所施加的)特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(I)知道，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种途径获得通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小Ic1的值。为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷(或可施加的)特征尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有5-20nm范围内波长的电磁辐射，例如在13-14nm范围内波长的电磁辐射，或例如在5-10nm范围内的波长，例如6. Ixm或6. 8nm波长。可用的源包括例如激光产生的等离子体(LPP)源、放电等离子体(DPP)源或基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。可以通过使用等离子体产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器，和用于包含等离子体的源收集器模块。例如通过将激光束引导到燃料，例如合适材料(例如锡)的颗粒或合适气体或蒸汽(例如氙气或锂蒸汽)的流可以产生等离子体。所产生的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器收集。辐射收集器可以是反射镜式正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦为束。源收集器模块可以包括包围结构或腔，其布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常称为激光产生等离子体(LPP)源。 实际使用的EUV源，例如使用等离子体生成EUV辐射的那些EUV源，不仅发射想要的“带内”EUV辐射，而且发射不想要的“带外”辐射。这种带外辐射最为突出的是在深紫外(DUV)辐射范围(100-400nm)内。而且，在一些EUV源的情况下，例如激光产生的等离子体EUV源，来自激光器的辐射，通常在10. 6 μ m，给出相当量的带外辐射。在光刻设备中，基于几个原因要求光谱纯度。一个原因在于，抗蚀剂对辐射的带外波长敏感，因而如果抗蚀剂曝光于这种带外辐射，则施加至抗蚀剂的图案的图像品质可能被破坏。此外，带外福射红外福射，例如在某些激光产生等离子体源中的10. 6μηι福射导致光刻设备内的图案形成装置、衬底以及光学元件的不想要的和不必要的升温。这种升温可以导致这些元件的损坏、寿命的变差和/或投影和施加到涂覆有抗蚀剂的衬底的图案的缺陷或变形。阻止带外辐射传播通过光刻设备的一种方法是过滤由辐射源产生的辐射或对其 应用以滤光片。滤光片可以是透射的、反射的、衍射的、折射的或其他类型。例如，在一个示例中，可以提供多层反射镜，所述多层反射镜反射或优选反射EUV辐射，同时以某些方式(例如，通过吸收、相消干涉、向不同方向的反射)抑制沿与EUV辐射相同方向的红外辐射的反射。替换地或附加地，多层反射镜可以包括光栅结构或形成光栅结构的一部分。光栅结构可以配置成确保以第一角度从多层反射镜反射EUV辐射，并使得以不同的第二角度从多层反射镜反射红外辐射。通过沿不同角度反射EUV辐射和红外辐射，EUV辐射可以被引导通过光刻设备，而红外辐射可以被引导朝向束流收集器等。例如，这种光栅结构可以位于光刻设备的辐射源中。然而，具有这种光栅结构或不具有这种光栅结构的多层反射镜可以在整个光刻设备中使用，例如作为光刻设备的一个或更多个光学元件用于操纵(例如反射、成形等)在光刻设备中使用的辐射束。与在光刻设备中使用多层反射镜相关的问题是多层反射镜随时间而劣化。光刻设备中严苛的条件可以导致例如形成这种多层反射镜的一部分的一个或更多个硅层的劣化。例如，由于光刻设备中的高温或形成光刻设备的一部分或与光刻设备连接的福射源，和/或高能微粒污染的生成，一个或更多个硅层在使用期间可以遭受溅射或全面的劣化。替换地或附加地，已经提出在EUV光刻设备中使用氢气(分子形式或原子形式)作为碎片抑制剂或污染物阻挡件，或用于清洁光学元件。然而，通常构成多层反射镜的一个更多个层的硅可以与氢反应，由此引起硅层的劣化。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种多层反射镜，或一种对多层反射镜进行改性的方法，其消除或减轻现有技术中的一个或更多个问题(不管与这里或其他情形中相同与否)，或提供已有的多层反射镜或对这种多层反射镜进行改性的方法的替代方案。本专利技术的目的可以是改善多层反射镜的鲁棒性，例如用于保护多层反射镜的一个或更多个硅层不与氢反应，或免受溅射的影响。根据本专利技术的第一方面，提供一种多层反射镜，包括第一材料层和娃层，其中第一材料层和硅层形成叠层；其中硅层的暴露区域包括布置用以改善硅的暴露区域的鲁棒性的改性部。所述改性部可以布置用以通过下列方式中的一种或两种来改善硅的暴露区域的鲁棒性降低硅层的暴露区域与氢或原子态氢的反应性；和/或改善硅层的暴露区域的溅射耐受性。所述改性部可以包括下列一种或更多种在硅层的暴露区域表面上或在硅层的暴露区域中提供的一种或更多种注入材料；和/或用于覆盖硅层的暴露区域或用于形成硅层的暴露区域的一部分的钝化层。所述一种或更多种注入材料可以包括下列中的一种或更多种硼、氮和/或氮化物。钝化层可以包括下列中的一种或更多种氮化物层、硅氮化物层、硼玻璃层(例如硼-硅玻璃，或硼硅酸玻璃)或硅氧氮化物层。 硅层的暴露区域可以是硅层的外围区域和/或硅层的侧壁。硅层的未暴露区域可以没有改性部。硅层的未暴露区域可以包括至少硅层的中心或中心区域。多层反射镜可以包括多个第一材料层和/或多个娃层，并且娃层可以由第一材料层分隔和/或第一材料层可以由硅层分隔。硅的多层可以具有暴露区域，每个暴露区域包括改性部。单个硅层或多个硅层的多个暴露区域可以包括改性部。单个硅层或多个硅层的单个暴露区域或多个暴露区域的大部分或基本上全部可以包括改性部。第一材料可以包括钥。多层反射镜可以配置成反射或优选反射EUV辐射。多层反射镜可以配置成抑制红外辐射的反射。多层反射镜可以布置用以沿第一方向反射EUV辐射，和沿不同的第二方向反射红外辐射。多层反射镜可以包括光栅结构或形成光栅结构的一部分。为了保护多层反射镜不受氢粒子影响，多层反射镜可以在叠层上设置保护层。这种保护层可以包括硅氮化物、钌或钥。根据本专利技术的第二方面，提供一种设置有根据本专利技术第一方面的多层反射镜的辐射源或光刻设备。本专利技术的第二方面，在合适的情况下，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·季莫什科夫，A·亚库宁，E·欧苏瑞欧奥利弗罗斯，J·B·P·范斯库特，A·T·W·凯姆彭，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：
国别省市：