用于去除污染物粒子的系统、光刻设备、用于去除污染物粒子的方法以及用于制造器件的方法技术方案

本发明专利技术提供了一种用于从EUV辐射束的路径去除污染物粒子的系统，其中提供至少第一AC电压至位于EUV辐射束的路径的相对侧上的一对电极作为电压机制的第一阶段，和提供DC电压至电极作为电压机制的第二阶段。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于从EUV辐射束的路径去除污染物粒子的系统、光刻设备、用于从EUV辐射束的路径去除污染物粒子的方法以及用于制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或几个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。光刻术被广泛认为是制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，对于实现制造微型的IC或其他器件和/或结构来说，光刻术正变成更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(I)所示CD = L*^-(I)NA其中λ是所用辐射的波长，NA是用于印刷图案的投影系统的数值孔径，Ic1是依赖于工艺的调节因子，也称为瑞利常数，CD是印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(I)知道，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由以下三种途径实现通过缩短曝光波长入、通过增大数值孔径NA或通过减小Ic1的值。为了缩短曝光波长，并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有5-20nm范围内波长的电磁辐射，例如在13_14nm范围内波长的电磁辐射。还提出，可以使用小于IOnm波长的EUV辐射，例如在5-lOnm范围内的波长，例如6. Ixm或6. Snm的波长。这种辐射被称为极紫外辐射或软X射线辐射。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。可以使用等离子体产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器，和用于容纳等离子体的源收集器模块。例如通过引导激光束到燃料，(例如合适材料(例如锡)的粒子或合适气体或蒸汽的流(例如氙气或锂蒸汽))可以产生等离子体。最终的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器收集。辐射收集器可以是成镜像的正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦为束。源收集器模块可以包括包围结构或腔，其布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常称为激光产生等离子体(LPP)源。这种系统中的一个问题在于，燃料材料的粒子容易被与辐射一起喷射，并且可以以高速或低速行进通过设备。在这些粒子污染例如反射镜透镜或掩模版的光学表面的情况下，设备的性能变差。根据这种情形，光电放电可能会不足以偏转所有的不想要的粒子。在尝试将这种技术应用于上述的氢气环境中时产生另一问题。在存在气体(H2)的情况下，EUV辐射脉冲将产生导电的氢等离子体。当这种(由EUV束产生的)H2等离子体存在于电容器板之间的区域内时，所施加的电场将被等离子体屏蔽，并且将不会偏转粒子。附加地，等离子体将逐步地施加负电荷给粒子，由此消去了光电效应的正电荷
技术实现思路
因此，需要的是一种有效的系统和方法用以提供用于去除污染物粒子的可替代的系统，其适于在例如氢气的环境气氛内的EUV设备。在本专利技术的一个实施例中，提供一种用于在光刻设备中从EUV辐射束的路径去除污染物粒子的系统，包括至少一对电极，设置在所述EUV辐射束的路径的相对侧上；和电压源，配置成在所述至少一对电极之间提供受控制的电压。所述系统包括控制器，配置成控制在所述一对电极中的至少一个之间提供的电压；其中控制器配置成在电极之间提供电压机制，所述电压机制包括第一阶段和第二阶段，在第一阶段中提供交流(“AC”)电压至所述电极中的一对电极，在第二阶段中提供直流(“DC”)电压至所述电极中的一对电极。在本专利技术的一个实施例中，所述系统还提供光刻设备，所述光刻设备包括用于去除污染物粒子的一个或更多个这样的系统。在本专利技术的一个实施例中,提供一种用于在光刻设备中从EUV福射束的路径去除污染物粒子的方法，包括步骤提供至少一对电极，所述至少一对电极设置在EUV辐射束的路径的相对侧上；和在所述至少一对电极之间提供电压机制，所述电压机制包括第一阶段和第二阶段，在所述第一阶段中提供AC电压至所述电极中的一对电极，在所述第二阶段中提供DC电压至所述电极。在本专利技术的一个实施例中，提供一种使用上文阐述的污染物去除方法的制造(例如半导体器件的)器件的方法。本专利技术的另外的实施例、特征和优点以及本专利技术的不同实施例的结构和操作在下文中详细地参照附图进行描述。要注意的是本专利技术不限于这里所述的具体实施例。在此所呈现出的这些实施例仅是为了示例性的说明目的。在这里包含的教导的基础上本领域技术人员将清楚其他的实施例。附图说明现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本专利技术的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件。另外，并入本文的并形成说明书的一部分的附图示出了本专利技术，并且与说明书一起用于进一步解释本专利技术的原理且使得相关领域技术人员能制造和使用本专利技术。图I示意地示出根据本专利技术一个实施例的光刻设备。图2是根据本专利技术一个实施例的设备100的更详细视图。图3示出根据本专利技术一个实施例的可用于图I和2的设备中的可替代的EUV辐射源。图4示出根据本专利技术一个实施例的修改后的光刻设备。图5示出根据本专利技术一个实施例的用于去除污染物粒子的系统的一个实施例。图6和7将之前已知的用于去除污染物粒子的系统的性能与根据本专利技术一个实施例的系统相比较。 图8示出根据本专利技术一个实施例的用于去除污染物粒子的系统的可替代的实施例。图9和10将根据本专利技术一个实施例的分别对于高的和低的二次电子发射系数材料粒子的如图8所示的系统性能相比较。在结合附图时，将从下文所阐述的详细描述更加明白本专利技术的特征和优点，在附图中相同的附图标记在全文中表示对应的元件。在附图中，相同的附图标记通常表示相同的、功能类似的和/或结构类似的元件。具体实施例方式本说明书公开了包括本专利技术的特征的一个或更多的实施例。所公开的实施例仅示例性地说明本专利技术。本专利技术的范围不限于所公开的实施例。本专利技术仅由随附的权利要求书来限定。所描述的实施例和在说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的提及表示所描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特点，但是每个实施例可以不必须包括特定的特征、结构或特点。此外，这些措词不必表示同一实施例。此外，当特定特征、结构或特点被关于实施例进行描述时，应该理解，无论是否明确描述，关于其他的实施例实现这些特征、结构或特点在本领域技术人员的知识范围内。本专利技术的实施例可以在硬件、固件、软件或其任何组合中实施。本专利技术实施例还可以被实施为存储在机器可读介质上的指令，其可以由一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于储存或传输成机器(例如计算装置)可读形式的信息的任何机构。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM);随机存取存储器(RAM);磁盘存储媒介；光学存储媒介；闪存装置；电、光、声或其他形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)，以及其他。此外，固件、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·伊万诺夫，P·安齐费罗夫，Y·西杰尔尼科夫，L·斯卡克卡巴拉兹，H·尼尔霍夫，A·亚库宁，埃里克·伦洛夫·卢布斯卓，V·Y·拜尼恩，R·J·布鲁尔斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：
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