【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于高聚物共混改性领域,具体涉及。
技术介绍
高介电常数的聚合物基电介质复合材料在微电子领域中应用广泛,提高其介电常数对于电子工业的发展意义重大。根据渗流理论,向聚合物基体中加入导电填料,当填料填充量接近材料的渗流闭值时,复合材料的介电常数便会出现突增。石墨烯具有极高的电导率和很稳定的化学性质,作为单质,其在室温下传递电子的速度比已知导体都快,常温下其电子迁移率超过15000 cm2/V · s电阻率只约10_6 Ω · cm,比铜或银更低,是提高复合材 料介电常数的理想填料。聚酰亚胺(PD具有独特的优良特性,比如良好的耐热、耐寒性,优良的介电性能,突出的力学性能以及容易实现分子结构的优化设计以满足不同的性能要求等,可以作为石墨烯/聚合物电介质复合材料的高性能树脂基体。但现有聚酰亚胺材料存在的介电常数不高、加工成型稳定性不好、力学性能不好等缺陷与不足。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供,工艺简单可行,能够经济高效地制备出高介电常数以及优良的热性能和力学性能聚酰亚胺薄膜。本专利技术采用了以下技术方案 一种石墨烯改性聚酰亚胺基复 ...
【技术保护点】
一种石墨烯改性聚酰亚胺基复合材料,其特征在于由下述成分按重量份组成:4,4“?二氨基二苯醚95~105份、均苯四酸酐110~120份、石墨烯1~25份。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:姚正军,郑文建,周金堂,魏东博,周畅,姚芮,陈永鑫,
申请(专利权)人:南京航空航天大学,
类型:发明
国别省市:
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