一种硫堇修饰三维石墨烯材料及其制备方法技术

技术编号:8296125 阅读:334 留言:0更新日期:2013-02-06 20:14
本发明专利技术公开了一种硫堇修饰三维石墨烯材料及其制备方法,所述制备方法包括:(1)将硫堇溶于pH6.5~8.5的缓冲液中制得硫堇溶液;(2)将三维石墨烯浸没到硫堇溶液中对三维石墨烯修饰改性,制得硫堇修饰三维石墨烯材料。本发明专利技术通过简单的非共价吸附作用实现硫堇和三维石墨烯的复合,工艺简单;本发明专利技术制备的硫堇修饰三维石墨烯材料,富含大孔与介孔结构、导电性好,可直接作为无支载的基础电极使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功能化材料
,尤其涉及。
技术介绍
石墨烯(Graphene)是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜,只有一个碳原子厚度的二维材料。2004年,英国曼彻斯特大学物理学家安德烈 海姆和康斯坦丁 ·诺沃肖洛夫,成功地在实验中从石墨中分离出石墨烯,证实它可以单独存在,两人也因“在二维石墨烯材料的开创性实验”为由,共同获得2010年诺贝尔物理学奖。石墨烯目前是世上最薄却也是最坚硬的纳米材料,它几乎是完全透明的,只吸收 2.3%的光,导热系数高达5300W/m · K,高于碳纳米管和金刚石,常温下其电子迁移率超过15000cm2/V*s,比纳米碳管或硅晶体高,而电阻率只约10_6Ω · cm,比铜或银更低,为目前世上电阻率最小的材料。因此,石墨烯独具有优异的电学、力学、热学和光学等特性,是近年来研究的热点。除了二维石墨烯材料外,在2004年,科学家采用兼具平面和曲面结构特点的泡沫金属作为生长基体,利用CVD方法制备出三维石墨烯材料。这种材料具有全连通的整体和石墨烯结构,具有优异的电荷传导能力、高的比表面积、大孔与介孔结构。这些优异的性质使得三维石墨烯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硫堇修饰三维石墨烯材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将硫堇溶于pH6.5~8.5的缓冲液中制得硫堇溶液;(2)将三维石墨烯浸没到硫堇溶液中对三维石墨烯修饰改性,制得硫堇修饰三维石墨烯材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:奚凤娜周国珺卢晓林石微微
申请(专利权)人:浙江理工大学
类型:发明
国别省市:

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