【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种直流升压电路。
技术介绍
目前,一般通过Boost电路(开关直流升压电路)实现直流-直流的升压变换,结构如图I所示。其中,在充电过程中,开关管Q’(三极管或者MOS管)导通,输入电压流过电感。二极管D’防止电容C’对地放电。由于输入电压Vin’是直流电,所以电感L’上的电流以一定的比率线性增加,这个比率跟电感大小有关。随着电感电流增加,电感L’里储存了一些能量;放电过程中,开关管Q’截止,由于电感L’的电流保持特性,流经电感L’的电流不会马上变为0,而是缓慢的由充电完毕时的值变为O。而原来的电路已断开,于是电感L’只能通过新电路放电,即开始给电容C’充电,电容C’两端电压升高,此时输出电压V-’已 经高于输入电压Vin’,升压完毕。但是,在升压时,很容易损坏部件,一旦某个部件损坏,只能停止运行。并且,二极管D’和开关管Q’都有相应的开关损耗,尤其是开关管Q’,制约着功率和效率。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺陷而提供一种高功率和高效率的直流升压电路,它具有两套相互独立的升压电路,可以同时工作也可以轮流工作,并且在其中一套损坏的时候整体还 ...
【技术保护点】
一种直流升压电路,其特征在于,包括断路器、第一电感、第二电感、第一MOSFET、第二MOSFET、第一二极管、第二二极管和电容,其中:所述第一电感的一端连接所述断路器并且通过该断路器接收输入电压,另一端分别连接所述第一二极管的正极和所述第一MOSFET的漏极;所述第二电感的一端连接所述断路器并且通过该断路器接收输入电压,另一端分别连接所述第二二极管的正极和所述第二MOSFET的漏极;所述电容的一端分别连接所述第一二极管的负极和所述第二二极管的负极,另一端分别连接所述第一MOSFET的源极和所述第二MOSFET的源极;所述电容与第一二极管以及第二二极管的相接端输出输出电压;所 ...
【技术特征摘要】
1.一种直流升压电路,其特征在于,包括断路器、第一电感、第二电感、第一 MOSFET、第二 M0SFET、第一二极管、第二二极管和电容,其中 所述第一电感的一端连接所述断路器并且通过该断路器接收输入电压,另一端分别连接所述第一二极管的正极和所述第一 MOSFET的漏极; 所述第二电感的一端连接所述断路器并且通过该断路器接收输入电压,另一端分别连接所述第二二极管的正极和所述第二 MOSFE...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚建歆,周曞昕,郑季伟,徐剑,顾临峰,李志龙,王国友,倪东海,程正敏,唐海强,王飙,徐刚,周静,
申请(专利权)人:上海市电力公司,
类型:实用新型
国别省市:
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