一种灰阶掩膜版、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种灰阶掩膜版、阵列基板、显示装置。该灰阶掩膜版包括：掩膜版主体，掩膜版主体上具有驱动电路图案区域和像素显示图案区域，驱动电路图案区域中包括第一源电极掩膜图案和第一漏电极掩膜图案，该两者之间具有第一沟道区，其内设有第一灰阶线条图案；像素显示图案区域中包括第二源电极掩膜图案和第二漏电极掩膜图案，该两者之间具有第二沟道区，其内设有第二灰阶线条图案；第一灰阶线条图案的宽度大于第二灰阶线条图案的宽度。使用上述灰阶掩膜版制作的阵列基板，包含驱动电路区和像素显示区，所述驱动电路区的薄膜晶体管的半导体层具有均一厚度，且所述像素显示区的薄膜晶体管的半导体层具有均一厚度。所述显示装置，包括上述阵列基板。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，特别是涉及一种灰阶掩膜版、阵列基板、显示装置。
技术介绍
近年来，随着科技的发展，液晶显示器技术也随之不断完善。TFT-IXD (Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管-液晶显示器)以其图像显示品质好、能耗低、环保等优势占据着显示器领域的重要位置。近几年来，为了更好地提高图像显示品质和进一步降低生产成本，开发了一种将栅极驱动电路制作在TFT阵列基板上的新技术GOA (Gate driver On Array,栅极驱动电路)该技术可以省去栅极驱动芯片，从而大幅度降低了生产成本。·现有技术中，通常需要使用四次掩膜工艺来制备TN(Twisted Nematic，扭曲向列)型TFT-IXD阵列基板，其中有源层(半导体层)和源/漏金属层通过利用灰阶掩膜版曝光，只需一次曝光工艺即可完成半导体层和源/漏电极的制备。掩膜版上灰阶曝光的区域正对应TFT沟道处，曝光后沟道处剩余的光刻胶厚度直接由掩膜版上灰阶图案的透过率决定。在包含GOA电路的TFT-IXD阵列基板上，面板周围设有大量的构成GOA电路的TFT结构，通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种灰阶掩膜版，其特征在于，包括：掩膜版主体，所述掩膜版主体上具有驱动电路图案区域和像素显示图案区域，所述驱动电路图案区域中包括第一源电极掩膜图案和第一漏电极掩膜图案，所述第一源电极掩膜图案和第一漏电极掩膜图案之间具有第一沟道区，所述第一沟道区内设有第一灰阶线条图案；所述像素显示图案区域中包括第二源电极掩膜图案和第二漏电极掩膜图案，所述第二源电极掩膜图案和第二漏电极掩膜图案之间具有第二沟道区，所述第二沟道区内设有第二灰阶线条图案；所述第一灰阶线条图案的宽度大于第二灰阶线条图案的宽度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：惠官宝，张锋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：