电荷存储设备、其制备方法、其导电结构的制备方法、使用其的移动电子设备以及包含其的微电子设备技术

在一个实施例中，电荷存储设备包括通过分离器(130)相互分离的第一(110)和第二(120)导电结构。所述第一和第二导电结构中的至少一个包括包含多个通道(111、121)的多孔结构。所述通道中的每一个具有位于所述多孔结构的表面(115，125)上的开口(112、122)。在另一实施例中，所述电荷存储设备包括多个纳米结构(610)和与至少一些纳米结构物理接触的电解质(650)。介电常数至少为3.9的材料(615)可以设置在所述电解质与所述纳米结构之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
所公开的本专利技术实施例一般地涉及电荷存储设备，并且更特别地涉及电容器，包括双电层电容器。
技术介绍
电荷存储设备，包括电池和电容器，被广泛应用在电子设备中。特别是，电容器广泛地用于从电气线路和功率传输到电压调节和电池更换的应用领域。随着电容器技术的持续发展，已经出现了多种类型的电容器。例如，双电层电容器(EDLC)，也被称作超级电容器(等等)，其特征在于高的能量存储和功率密度、小尺寸以及低重量，并且所述双电层电容器已经由此变成用在多个应用中的有力竞争者。 附图说明通过结合附图阅读以下的详细描述将更好的理解公开的实施例，在附图中图I和2是根据本专利技术实施例的电荷存储设备的截面图；图3是根据本专利技术实施例的一片多孔硅的截面扫描电镜图；图4是根据本专利技术实施例的电荷存储设备的通道内的双电层的截面图；图5是根据本专利技术实施例的电荷存储设备中的通道的示出不同的层和结构的截面图；图6是根据本专利技术另一实施例的电荷存储设备的截面图；图7是示出根据本专利技术实施例制备电荷存储设备的导电结构的方法的流程图；图8是根据本专利技术实施例的相对厚的导电结构的透视图；图9是示出根据本专利技术实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：D·S·加德纳，E·C·汉娜，R·陈，J·L·古斯塔夫松，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：
国别省市：