【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种形成图案的方法以及一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物。更特定言之,本专利技术涉及一种形成负型图案(negative pattern)的方法,其适用于IC或其类似物的半导体制造制程、液晶、热感应头或其类似物的电路板制造以及其他感光蚀刻加工(photofabrication)中所用的微影操作,且涉及一种适用于所述方法的组合物。此 夕卜,更特定言之,本专利技术涉及一种形成负型图案的方法,其适于使用采用波长为300纳米以下的远紫外光作为光源的ArF曝光装置、ArF液体浸溃投影曝光装置(liquid-immersionprojectionexposure apparatus)或EUV曝光装置来曝光,且涉及一种适用于所述方法的组合物。在本专利技术中,术语“光化射线(actinic ray) ”以及“放射线(radiation) ”指例如水银灯明线光谱、以准分子雷射为代表的远紫外射线、极紫外射线、X射线、电子束以及其类似物。在本专利技术中,术语“光(light)”指光化射线或放射线。除非另作说明,否则本文所用的表述“曝光(exposure) ”不仅指 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:岩户熏,高桥秀知,平野修史,上村聪,加藤启太,
申请(专利权)人:富士胶片株式会社,
类型:
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。