一种基于磁控电抗器的快速励磁及去磁装置制造方法及图纸

技术编号:8272988 阅读:206 留言:0更新日期:2013-01-31 05:31
一种基于磁控电抗器的快速励磁及去磁装置,属于动态无功功率补偿技术领域。包括电力系统、MCR本体、快速励磁电路3、快速去磁电路4;MCR本体的上下两输入输出端接入电力系统1,MCR本体中包含两个铁芯,两个铁芯上分别绕有线圈L1和L2、L3和L4,四组线圈为交叉并联结构;从每个铁芯上的上下两组线圈中间引出抽头,同一铁芯两抽头之间接有SCR半控器件。在两铁芯上的四组线圈的交叉连接点之间接有快速励磁电路及快速去磁电路。优点在于:保留了MCR的无功功率连续可调、工作安全稳定,还显著加快了MCR的响应速度,使得MCR从空载到额定容量和从额定容量到空载的响应速度都达到一个工频周期内。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于动态无功功率补偿
,特别是提供了一种磁控电抗器的快速励磁及去磁装置。
技术介绍
无功平衡对提高电网的经济效益和改善供电质量至关重要,而超高压大电网的形成及负荷变化加剧,要求大量快速响应的可调无功补偿装置来调整电压,维持系统无功潮流平衡,减少损耗,提高供电可靠性。磁阀式可控电抗器(简称为MCR,MagneticallyControlled Reactor)在电力系统动态无功功率控制领域得到了越来越多的应用,但也存在诸多不足。首先,当MCR工作在不完全饱和状态时,其谐波含量较高,因而需添加辅助滤 波装置或改善MCR结构使其谐波得到优化;其次,MCR响应时间与抽头比成反比,对大容量的MCR而言,抽头比的取值通常是很小的,这使得MCR的响应时间达到了几百毫秒,严重制约了 MCR的使用范围,因而如何提高MCR的响应时间便成了当务之急。本专利技术即是针对MCR响应速度方面的不足而提出的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种磁控电抗器的快速励磁及去磁装置,用于电力系统的快速动态无功补偿。它基于控制升压斩波电路中IGBT的通断可控制电容上的电压使其连续的对系统进行无功补偿;基于高电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于磁控电抗器的快速励磁及去磁装置,其特征在于,包括电力系统(1),MCR本体(2),快速励磁电路(3),快速去磁电路(4);MCR本体(2)的上下两输入输出端接入电力系统(1),MCR本体(2)中包含两个铁芯,两个铁芯上分别绕有线圈L1和L2、L3和L4,四组线圈为交叉并联结构;从每个铁芯上的上下两组线圈中间引出抽头,同一铁芯两抽头之间接有SCR半控器件;在两铁芯上的四组线圈的交叉连接点之间接有快速励磁电路(3)及快速去磁电路(4);所述的快速励磁电路由升压斩波电路(5)和大容量电容和IGBT构成;所述的快速去磁电路由IGBT和大功率高阻值电阻构成。

【技术特征摘要】
1.一种基于磁控电抗器的快速励磁及去磁装置,其特征在于,包括电力系统(I),MCR本体(2),快速励磁电路(3),快速去磁电路(4);MCR本体(2)的上下两输入输出端接入电力系统(1),MCR本体(2)中包含两个铁芯,两个铁芯上分别绕有线圈L1和L2、L3和L4,四组线圈为交叉并联结构;从每个铁芯上的上下两组线圈中间引出抽头,同一铁芯两抽头之间接有SCR半控器件;在两铁芯上的四组线圈的交叉连接点之间接有快速励磁电路(3)及快速去磁电路(4); 所述的快速励磁电路由升压斩波电路(5)和大容量电容和IGBT构成; 所述的快速去磁电路由IGBT和大功率高阻值电阻构成。2.根据权利要求I所述的快速励磁及去磁装置,其特征在于,所述的快速励磁电路(3)及快速去磁电路(4)中续流二极管D1串联IGBT2全控器件构成续流支路,并在IGBT2两端反并联起保护作用的二极管D2,将续流二...

【专利技术属性】
技术研发人员:尹忠东刘海鹏赵士硕李和明
申请(专利权)人:华北电力大学
类型:发明
国别省市:

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