正逆塞贝克效应实验仪制造技术

一种正逆塞贝克效应实验仪，其包括一个直流稳压电源，分别连接到半导体制冷片、温度计和电压表，半导体制冷片的左端与金属片的右端紧密相接，温差发电片与金属片的左端紧密相接，第一温度传感器与半导体制冷片右端紧密相接，第二温度传感器与金属片紧密相接，第三温度传感器与温差发电片左端紧密相接，这三个温度传感器均连接到温度计上，温差发电片与电压表相连。该仪器可分析半导体制冷片的供电电压与其两端温度差的关系，还可分析温差发电片的两端温度差与其产生的电压的关系。演示正塞贝克效应和逆塞贝克效应。本仪器可用于高校的物理实验。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及物理教学实验仪器，特别是一种电制冷和温差发电的正逆塞贝克效应实验仪器。技术背景塞贝克效应如果将导体(或半导体)A和导体(或半导体)B的两端相互紧密接触，并且两个导体(或半导体)的温度不同，则在两个导体(或半导体)的非接触面之间由于温度差而产生温差电动势。而塞贝克效应的逆效应(也称为帕尔贴效应)是两种不同的金属构成闭合回路，当回路中存在直流电流时，两个接头之间将产生温差。目前这两种效应已经应用在温差发电和电制冷领域，尤其是电制冷，具有体积小、便于携带、绿色环保等特点，得到了大量使用。目前物理实验教学中使用的温差发电和电制冷效应实验仪，基本都是演示仪器，不能进行定量的测量。·
技术实现思路
本技术的目的是演示正塞贝克效应和逆塞贝克效应，展示电制冷和温差发电的原理和特点，并对这两个效应进行定量研究。本专利技术采用如下技术方案一种正逆塞贝克效应实验仪，其特征在于其包括一个直流稳压电源，分别连接到半导体制冷片、温度计和电压表，半导体制冷片的左端与金属片的右端紧密相接，温差发电片与金属片的左端紧密相接，第一温度传感器与半导体制冷片右端紧密相接，第二温度传感器与金属片紧密相接，第三温度传感器与温差发电片左端紧密相接，这三个温度传感器均连接到温度计上，温差发电片与电压表相连。本技术的优点仪器可以简单明了地演示正逆塞贝克效应，可进行定量测量和分析。可用于高校的物理实验。附图说明图I为本技术的结构示意图。图中1、半导体制冷片，2、温差发电片，3、第三温度传感器，4、第二温度传感器，5、温度计，6、电压表，7、直流稳压电源，8、第一温度传感器，9、金属片。具体实施方式如图I所示，直流稳压电源7把220V交流市电变成O到12V可调的电源，输出接到半导体制冷片I上，接通电源后，半导体制冷片I的右边降温，左边升温，左边产生的热量通过金属片3传导给温差发电片2的右端，这时温差发电片2左右两端的温度不同，由于塞贝克效应，形成温差发电，产生的电压由电压表6显示出来。第一温度传感器8测量到半导体制冷片I右端(即低温端)的温度信号，传到温度计5显示出来，第三温度传感器4测量到温差发电片2左端(即低温端)的温度信号，传到温度计5显示出来，第二温度传感器3测量到金属片3的温度信号(此时半导体制冷片I左端及温差发电片2右端与金属片9的温度相同)，传到温度计5显示出来，此外，直流电源7还给电压表6和温度计5提供电源。实验时，接通直流稳压电源，半导体制冷片I的供电电压调到IV，在比较稳定的状态下，同时记录下温度计显示的三个温度以及电压表上的电压。随后，半导体制冷片I的供电电压每次增加IV，重复前次测量，直到供电电压为12V为止。分析半导体制冷片I的供电电压与其两端温度差的关系，分析温差发电片2的两 端温度差与其产生的电压的关系，定量和定性地学习正塞贝克效应(温差发电)和逆塞贝克效应(电制冷)。权利要求1.一种正逆塞贝克效应实验仪，其特征在于其包括一个直流稳压电源，分别连接到半导体制冷片、温度计和电压表，半导体制冷片的左端与金属片的右端紧密相接，温差发电片与金属片的左端紧密相接，第一温度传感器与半导体制冷片右端紧密相接，第二温度传感器与金属片紧密相接，第三温度传感器与温差发电片左端紧密相接，这三个温度传感器均连接到温度计上，温差发电片与电压表相连。专利摘要一种正逆塞贝克效应实验仪，其包括一个直流稳压电源，分别连接到半导体制冷片、温度计和电压表，半导体制冷片的左端与金属片的右端紧密相接，温差发电片与金属片的左端紧密相接，第一温度传感器与半导体制冷片右端紧密相接，第二温度传感器与金属片紧密相接，第三温度传感器与温差发电片左端紧密相接，这三个温度传感器均连接到温度计上，温差发电片与电压表相连。该仪器可分析半导体制冷片的供电电压与其两端温度差的关系，还可分析温差发电片的两端温度差与其产生的电压的关系。演示正塞贝克效应和逆塞贝克效应。本仪器可用于高校的物理实验。文档编号G09B23/18GK202694645SQ20122035640公开日2013年1月23日 申请日期2012年7月21日 优先权日2012年7月21日专利技术者王吉有, 高小强, 彭月祥 申请人:北京工业大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种正逆塞贝克效应实验仪，其特征在于：其包括一个直流稳压电源，分别连接到半导体制冷片、温度计和电压表，半导体制冷片的左端与金属片的右端紧密相接，温差发电片与金属片的左端紧密相接，第一温度传感器与半导体制冷片右端紧密相接，第二温度传感器与金属片紧密相接，第三温度传感器与温差发电片左端紧密相接，这三个温度传感器均连接到温度计上，温差发电片与电压表相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王吉有，高小强，彭月祥，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：实用新型
国别省市：